[發明專利]激光器二極管有效
| 申請號： | 201010275095.X | 申請日： | 2010-09-06 |
| 公開（公告）號： | CN102025108A | 公開（公告）日： | 2011-04-20 |
| 發明（設計）人： | 增井勇志;幸田倫太郎;大木智之;荒木田孝博;城岸直輝;山內義則 | 申請（專利權）人： | 索尼公司 |
| 主分類號： | H01S5/22 | 分類號： | H01S5/22;H01S5/183;H01S5/323 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 激光器 二極管 | ||
【權利要求書】：
1.一種激光器二極管，包括：
臺部，依次具有第一多層膜反射器、有源層和第二多層膜反射器，并且具有使注入到所述有源層的電流變窄的電流窄化層和與所述電流窄化層相鄰的緩沖層，其中
所述電流窄化層通過氧化包含Al的第一被氧化層而形成，
所述緩沖層通過氧化第二被氧化層而形成，選擇該第二被氧化層的材料和厚度，以使得該第二被氧化層的氧化速率大于所述第一多層膜反射器和所述第二多層膜反射器的氧化速率并小于所述第一被氧化層的氧化速率，并且，
所述緩沖層的厚度為10nm以上。
2.根據權利要求1所述的激光器二極管，其中所述電流窄化層由AlAs構成，并且所述緩沖層由包含Al的半導體材料制成。
3.根據權利要求2所述的激光器二極管，其中所述緩沖層由AlGaAs或InAlGaAs構成。
4.根據權利要求1所述的激光器二極管，其中所述緩沖層形成為與所述電流窄化層的頂面和底面中的至少一個接觸。
5.根據權利要求4所述的激光器二極管，其中所述電流窄化層具有第一未氧化區域和形成在所述第一未氧化區域周圍的環形的第一氧化區域，并且
所述緩沖層具有至少在與所述第一未氧化區域接觸的區域中的第二未氧化區域，并具有在與所述第一氧化區域接觸的區域中的第二氧化區域。
6.根據權利要求5所述的激光器二極管，其中所述第二氧化區域形成為偏向所述電流窄化層側。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于索尼公司，未經索尼公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201010275095.X/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：電機繞組的排布
- 下一篇：可自動彈出插頭的插座
