[發明專利]圖像處理電路、其處理方法、液晶顯示裝置以及電子設備有效
| 申請號: | 201010274252.5 | 申請日: | 2010-09-01 |
| 公開(公告)號: | CN102005192A | 公開(公告)日: | 2011-04-06 |
| 發明(設計)人: | 保坂宏行;飯坂英仁 | 申請(專利權)人: | 精工愛普生株式會社 |
| 主分類號: | G09G3/36 | 分類號: | G09G3/36;G02F1/133 |
| 代理公司: | 北京市中咨律師事務所 11247 | 代理人: | 陳海紅;周春燕 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 圖像 處理 電路 方法 液晶 顯示裝置 以及 電子設備 | ||
1.一種圖像處理電路,其基于圖像信號,指定對各像素的液晶施加的施加電壓,其特征在于,具備:
修正部,其在由前述圖像信號指定的前述施加電壓是比對液晶分子提供初始傾斜角的程度的電壓低的電壓的情況下,將前述施加電壓修正為對前述液晶分子提供初始傾斜角的程度的電壓。
2.根據權利要求1所述的圖像處理電路,其特征在于,具備:
檢測部,其基于前述圖像信號,檢測被施加最大灰度等級附近的施加電壓的像素與被施加最小灰度等級附近的施加電壓的像素是否相鄰;
其中,前述修正部,在被施加前述最大灰度等級附近的施加電壓的像素與被施加最小灰度等級附近的施加電壓的像素相鄰的情況下,在前述相鄰的像素其由前述圖像信號指定的前述施加電壓是比對前述液晶分子提供初始傾斜角的程度的電壓低的電壓的情況下,將前述施加電壓修正為對前述液晶分子提供初始傾斜角的程度的電壓。
3.根據權利要求2所述的圖像處理電路,其特征在于:
前述修正部,在與進行前述修正的像素相鄰的像素其由前述圖像信號指定的前述施加電壓是比對前述液晶分子提供初始傾斜角的程度的電壓低的電壓的情況下,將前述施加電壓修正為對前述液晶分子提供初始傾斜角的程度的電壓。
4.一種液晶顯示裝置,其具備液晶面板以及圖像處理電路,該液晶面板包括在第1基板上設置的像素電極和在第2基板上設置的共用電極并且在前述像素電極與共用電極之間夾持有液晶,該圖像處理電路指定對前述液晶施加的施加電壓,其特征在于:
前述圖像處理電路具備:
檢測部,其基于前述圖像信號,檢測被施加最大灰度等級附近的施加電壓的像素與被施加最小灰度等級附近的施加電壓的像素是否相鄰;以及
修正部,其在前述被施加最大灰度等級附近的施加電壓的像素與被施加最小灰度等級附近的施加電壓的像素相鄰的情況下,在由前述圖像信號指定的前述施加電壓是比對液晶分子提供初始傾斜角的程度的電壓低的電壓的情況下,將前述施加電壓修正為對前述液晶分子提供初始傾斜角的程度的電壓。
5.一種液晶顯示裝置,其具備液晶面板以及圖像處理電路,該液晶面板包括在第1基板上設置的像素電極和在第2基板上設置的共用電極并且在前述像素電極與共用電極之間夾持有液晶,該圖像處理電路指定對前述液晶施加的施加電壓,其特征在于:
前述圖像處理電路具備:
檢測部,其基于前述圖像信號,檢測被施加成為最大透射率附近的施加電壓的像素與被施加成為最小透射率附近的施加電壓的像素是否相鄰;以及
修正部,其在前述被施加成為最大透射率附近的施加電壓的像素與被施加成為最小透射率附近的施加電壓的像素相鄰的情況下,在由前述圖像信號指定的前述施加電壓是比對液晶分子提供初始傾斜角的程度的電壓低的電壓的情況下,將前述施加電壓修正為對前述液晶分子提供初始傾斜角的程度的電壓。
6.一種圖像處理電路,其基于圖像信號,指定對每一像素的液晶元件施加的施加電壓,其特征在于,具備:
邊界檢測部,其檢測由前述圖像信號指定的施加電壓小于第1電壓的第1像素與前述施加電壓大于等于第2電壓的第2像素的邊界,該第2電壓比前述第1電壓大;
修正部,其在對于與前述邊界相鄰的第1像素、由前述圖像信號指定的施加電壓小于第3電壓的情況下,將向與該第1像素對應的液晶元件施加的施加電壓從由前述圖像信號指定的施加電壓修正為預定的電壓,該第3電壓比前述第1電壓低。
7.根據權利要求6所述的圖像處理電路,其特征在于:
前述預定的電壓是前述第3電壓。
8.根據權利要求6所述的圖像處理電路,其特征在于:
前述預定的電壓是對液晶分子提供初始傾斜角的程度的電壓。
9.根據權利要求6所述的圖像處理電路,其特征在于:
前述修正部,在與所檢測出的邊界相鄰的第1像素的施加電壓大于等于前述第3電壓的情況下,將向與該第1像素對應的液晶元件施加的施加電壓設定為由前述圖像信號指定的施加電壓。
10.根據權利要求6~9中的任意一項所述的圖像處理電路,其特征在于:
前述邊界檢測部,檢測前述第1像素與前述第2像素在水平方向上相鄰的部分作為前述邊界。
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