[發(fā)明專(zhuān)利]用于相變存儲(chǔ)器的具有復(fù)合摻雜的相變結(jié)構(gòu)

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010273818.2
• 申請(qǐng)日: 2010-09-03
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102013455A
• 公開(kāi)（公告）日: 2011-04-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 龍翔瀾;陳介方;施彥豪;鄭懷瑜;賴(lài)二琨;李明修;馬修·J·布雷杜斯克;西蒙·拉梧;林仲漢
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L45/00
• 分類(lèi)號(hào): H01L45/00;H01L27/24
• 代理公司: 中科專(zhuān)利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 周?chē)?guó)城

1.一種存儲(chǔ)器裝置，包括：

一第一電極及一第二電極；以及

一相變材料，在該第一電極與該第二電極之間，且具有一主動(dòng)區(qū)，該相變材料具有一第一摻質(zhì)及一第二摻質(zhì)，該第一摻質(zhì)的特征為傾向于在該主動(dòng)區(qū)中的晶粒邊界上自該相變材料分離，該第二摻質(zhì)的特征為在該主動(dòng)區(qū)中引起再結(jié)晶溫度的增加。

2.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器裝置，其中該第一摻質(zhì)包括介電材料。

3.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器裝置，其中該相變材料包括硫?qū)倩衔铮摰谝粨劫|(zhì)包括選自于氧化硅、氧化鋁、碳化硅及氮化硅的材料。

4.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器裝置，其中該相變材料包括硫?qū)倩衔铮摰谝粨劫|(zhì)為具有濃度在10at％至20at％范圍內(nèi)的二氧化硅。

5.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器裝置，其中該第二摻質(zhì)包括與該相變材料的一元素形成一鍵結(jié)的材料，該鍵結(jié)的鍵能大于該元素與該相變材料的其它元素之間的鍵能。

6.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器裝置，其中該相變材料包括硫?qū)倩衔铮摰诙劫|(zhì)包括選自于周期表的元素14至元素33的材料。

7.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器裝置，其中該相變材料包括硫?qū)倩衔铮摰诙劫|(zhì)包括選自于鈧、鈦、釩、鉻、錳、鐵及鎵的材料。

8.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器裝置，其中該相變材料包括硫?qū)倩衔铮摰诙劫|(zhì)為具有濃度在3at％至12at％范圍內(nèi)的硅。

9.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器裝置，其中該相變材料包括Ge_xSb_yTe_z，該第二摻質(zhì)包括在該主動(dòng)區(qū)中與碲發(fā)生反應(yīng)的材料。

10.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器裝置，其中該相變材料包括Ge_xSb_yTe_z，其中該第一摻質(zhì)為氧化硅，且該第二摻質(zhì)為硅。

11.一種存儲(chǔ)器裝置的制造方法，包括：

形成一第一電極及一第二電極；

在該第一電極與該第二電極之間形成具有一主動(dòng)區(qū)的一相變材料，該相變材料具有一第一摻質(zhì)及一第二摻質(zhì)，該第一摻質(zhì)的特征為傾向于在該主動(dòng)區(qū)中的晶粒邊界上自該相變材料分離，該第二摻質(zhì)的特征為在該主動(dòng)區(qū)中引起該相變材料的再結(jié)晶溫度的增加；以及

加熱該主動(dòng)區(qū)，導(dǎo)致在該主動(dòng)區(qū)內(nèi)該第一摻質(zhì)自該相變材料分離。

12.如權(quán)利要求11所述的存儲(chǔ)器裝置的制造方法，其中該第一摻質(zhì)包括介電材料。

13.如權(quán)利要求11所述的存儲(chǔ)器裝置的制造方法，其中該相變材料包括硫?qū)倩衔铮摰谝粨劫|(zhì)包括選自于氧化硅、氧化鋁、碳化硅及氮化硅的材料。

14.如權(quán)利要求11所述的存儲(chǔ)器裝置的制造方法，其中該相變材料包括硫?qū)倩衔铮摰谝粨劫|(zhì)為具有濃度在10at％至20at％范圍內(nèi)的二氧化硅。

15.如權(quán)利要求11所述的存儲(chǔ)器裝置的制造方法，其中該第二摻質(zhì)包括與該相變材料的一元素形成一鍵結(jié)的材料，該鍵結(jié)的鍵能大于該元素與該相變材料的其它元素之間的鍵能。

16.如權(quán)利要求11所述的存儲(chǔ)器裝置的制造方法，其中該相變材料包括硫?qū)倩衔铮摰诙劫|(zhì)包括選自于周期表的元素14至元素33的材料。

17.如權(quán)利要求11所述的存儲(chǔ)器裝置的制造方法，其中該相變材料包括硫?qū)倩衔铮摰诙劫|(zhì)包括選自于鈧、鈦、釩、鉻、錳、鐵及鎵的材料。

18.如權(quán)利要求11所述的存儲(chǔ)器裝置的制造方法，其中該相變材料包括硫?qū)倩衔铮摰诙劫|(zhì)為具有濃度在3at％至12at％范圍內(nèi)的硅。

19.如權(quán)利要求11所述的存儲(chǔ)器裝置的制造方法，其中該相變材料包括Ge_xSb_yTe_z，該第二摻質(zhì)包括在該主動(dòng)區(qū)中與碲發(fā)生反應(yīng)的材料。

20.如權(quán)利要求11所述的存儲(chǔ)器裝置的制造方法，其中該相變材料包括Ge_xSb_yTe_z，其中該第一摻質(zhì)為氧化硅，且該第二摻質(zhì)為硅。