[發明專利]防止基板變形有效
| 申請號: | 201010273756.5 | 申請日: | 2005-11-18 |
| 公開(公告)號: | CN101976671A | 公開(公告)日: | 2011-02-16 |
| 發明(設計)人: | 具在本;申鉉秀;徐旼徹;牟然坤 | 申請(專利權)人: | 三星移動顯示器株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12 |
| 代理公司: | 北京德琦知識產權代理有限公司 11018 | 代理人: | 羅正云;王誠華 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 防止 變形 | ||
技術領域
本發明涉及防止基板由于熱應力或沉積應力引起的變形。
背景技術
優先權要求
本申請根據35U.S.C.§119要求于2004年11月20日在韓國知識產權局提交的名稱為“SUBSTRATE?AND?SUBSTRATE?WITH?THIN?FILM?TRANSISTOR(基板和具有薄膜晶體管的基板)”、正式指定序列號為10-2004-0095535的申請的優先權,其全部內容在此結合并作為參考。
對最近需求日益增加的移動顯示裝置和柔性顯示裝置的要求為薄、輕以不易破碎。
移動顯示裝置和柔性顯示裝置可以通過利用薄的玻璃基板來實現薄和輕。薄的玻璃基板不容易進行處理和精確對準,并且在抵抗外部沖擊方面非常弱。為了解決這些問題,已經采用一種利用現有玻璃基板,然后以化學方法或機械方法使該玻璃基板變薄的方法。然而,該方法復雜并且變薄的玻璃基板對于抵抗外部沖擊仍然非常弱。因此,該方法在實踐中不能使用。
為了解決由玻璃基板的使用引起的這些問題,已經使用利用塑料基板的方法,該塑料基板比玻璃基板更柔軟并且不容易被外部沖擊損傷。然而,塑料基板具有低的熱阻,因此它不能耐受高溫處理,例如多晶硅薄膜晶體管的形成和其它沉積。
為了解決這些問題,已經提出了一種利用具有高熱阻和高柔性的金屬基板的方法。然而,當將一層沉積在金屬基板上并且由此得到的金屬基板經歷高溫處理時,由此得到的金屬基板由于基板和該層的熱膨脹系數之間的差異而變形。例如,當該層的熱膨脹系數大于金屬基板的熱膨脹系數時,金屬基板朝向該層的方向凸起。相反,當金屬基板的熱膨脹系數大于該層的熱膨脹系數時,金屬基板朝向與該層的方向相對的方向凸起。當然,這個問題不僅在使用金屬基板時出現,在使用其他基板時也會出現。
發明內容
本發明提供一種防止由于熱應力或沉積應力而變形的基板。
根據本發明的一個方面,提供一種基板,其包括:設置在該基板的一個表面上的薄膜晶體管;和變形防止層,其設置在該基板的另一個表面上并包括至少一層。
該基板優選進一步包括設置在該基板的一個表面上的平整層,其中薄膜晶體管設置在該平整層上,并且變形防止層的材料和厚度都與平整層的材料和厚度相同。
平整層優選包括氧化硅。
該基板優選進一步包括:設置在該基板的一個表面上的平整層;和設置在平整層上的緩沖層,其中薄膜晶體管設置在緩沖層上,變形防止層包括材料和厚度與平整層的材料和厚度相同的第一層以及材料和厚度與緩沖層的材料和厚度相同的第二層。
平整層優選包括氧化硅。
該基板優選進一步包括設置在該基板一個表面的整個區域上以覆蓋薄膜晶體管的保護膜。
優選變形防止層的材料和厚度與保護膜的材料和厚度相同。
該基板優選進一步包括設置在該基板的一個表面上的平整層,其中薄膜晶體管設置在平整層上,變形防止層包括材料和厚度與平整層的材料和厚度相同的第一層以及材料和厚度與保護膜的材料和厚度相同的第三層。
平整層包括氧化硅。
該基板優選進一步包括:設置在該基板的一個表面上的平整層;和設置在平整層上的緩沖層,其中薄膜晶體管設置在緩沖層上,且變形防止層包括材料和厚度與平整層的材料和厚度相同的第一層,材料和厚度與緩沖層的材料和厚度相同的第二層,以及材料和厚度與保護膜的材料和厚度相同的第三層。
平整層優選包括氧化硅。
變形防止層優選設置在該基板的該一個表面上并且包括材料和厚度與形成在該基板的該一個表面的整個區域上的層的材料和厚度相同的層。
該基板優選包括金屬基板。
根據本發明的另一方面,提供一種疊層基板,包括:基板;和設置在該基板的一個表面上的變形防止層。
該疊層基板優選進一步包括設置在該基板的另一個表面上的平整層。
優選變形防止層的材料和厚度與平整層的材料和厚度相同。
平整層優選包括氧化硅。
該基板優選包括金屬基板。
附圖說明
當參考附圖對本發明進行更詳細的描述時,本發明將變得更易于理解并且其更完整的評價和許多優點將是顯而易見的,在附圖中,相同的附圖標記表示相同或相似的元件,其中:
圖1為具有不同熱膨脹系數的兩層的疊層的截面示意圖;
圖2和3為通過熱應力變形的圖1的疊層的截面示意圖;
圖4為根據本發明實施例的包括薄膜晶體管的基板的截面示意圖;
圖5為其上形成有平整層的金屬基板的截面示意圖;
圖6為根據本發明另一實施例的包括薄膜晶體管的基板的截面示意圖;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





