[發(fā)明專利]半導體檢測裝置用接觸式探針有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010273558.9 | 申請日： | 2010-09-03 |
| 公開（公告）號： | CN102023241A | 公開（公告）日： | 2011-04-20 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 伊藤弘高;山本兼司 | 申請（專利權(quán)）人： | 株式會社神戶制鋼所 |
| 主分類號： | G01R1/067 | 分類號： | G01R1/067;G01R31/26 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 張成新 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導體 檢測 裝置 接觸 探針 | ||
1.一種半導體檢測裝置用接觸式探針，是在導電性基材表面上形成非晶碳系導電性皮膜而成的半導體檢測裝置用接觸式探針，其特征在于，所述非晶碳系導電性皮膜具有如下的外表面：在原子力顯微鏡下4μm2的掃描范圍中，表面粗糙度Ra為6.0nm以下，均方根斜率RΔq為0.28以下，表面形態(tài)的凸部的前端曲率半徑的平均值R為180nm以上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述半導體檢測裝置用接觸式探針，其特征在于，在所述導電性基材表面和非晶碳系導電性皮膜之間具有中間層，所述中間層含有金屬元素，厚度為5～600nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述半導體檢測裝置用接觸式探針，其特征在于，所述中間層和所述非晶碳系導電性皮膜的合計厚度為50～2000nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述半導體檢測裝置用接觸式探針，其特征在于，所述中間層具有第一中間層和第二中間層，其中，
所述第一中間層由金屬元素構(gòu)成，
所述第二中間層含有所述金屬元素和碳，并具有如下梯度組成：金屬元素相對于碳的原子數(shù)的比例在從基材表面朝向非晶碳系導電性皮膜的厚度方向上減少，
并且，所述第二中間層形成于所述第一中間層和所述非晶碳系導電性皮膜之間。
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