[發明專利]一種具有電流阻擋層氮化鎵基發光二極管的制作方法

有效

• 申請號: 201010273166.2
• 申請日: 2010-09-06
• 公開（公告）號: CN101969089A
• 公開（公告）日: 2011-02-09
• 發明（設計）人: 潘群峰;吳志強;黃少華
• 申請（專利權）人: 廈門市三安光電科技有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 廈門原創專利事務所 35101
• 代理人: 徐東峰

1.?一種具有電流阻擋層氮化鎵基發光二極管的制作方法，其特征在于包括如下工藝步驟：

1)???在藍寶石襯底上形成氮化鎵基發光外延層，自下而上依次由n型氮化鎵基外延層、有源層、p型氮化鎵基外延層和非摻雜氮化鎵基外延層組成；

2)???在氮化鎵基發光外延層之上定義電流阻止區，并在電流阻止區的非摻雜氮化鎵基外延層之上鍍一金屬層作為掩膜以覆蓋整個電流阻止區；

3)???采用電化學蝕刻方式將電流阻止區之外的非摻雜氮化鎵基外延層去除；

4)???去除掩膜金屬層；

5)???在p型氮化鎵基外延層和非摻雜氮化鎵基外延層之上制作透明導電層；

6)???在電流阻止區范圍內的透明導電層之上制作p電極。

2.?如權利要求1所述的一種具有電流阻擋層氮化鎵基發光二極管的制作方法，其特征在于蝕刻去除部分區域的p型氮化鎵基外延層和有源層，暴露出n型氮化鎵基外延層并且在其上制作n電極。

3.?如權利要求1所述的一種具有電流阻擋層氮化鎵基發光二極管的制作方法，其特征在于金屬層材料選自Ti、Ni、Pt、Au、Cr或前述的任何組合之一。

4.?如權利要求1所述的一種具有電流阻擋層氮化鎵基發光二極管的制作方法，其特征在于電化學蝕刻可以在紫外光照射條件下或者加溫的條件下進行。

5.?如權利要求1所述的一種具有電流阻擋層氮化鎵基發光二極管的制作方法其特征在于電化學蝕刻溶液呈堿性。