[發明專利]鋁或鋁合金的表面處理方法及由鋁或鋁合金制得的殼體

無效

• 申請號: 201010273104.1
• 申請日: 2010-08-23
• 公開（公告）號: CN102373472A
• 公開（公告）日: 2012-03-14
• 發明（設計）人: 張新倍;陳文榮;蔣煥梧;陳正士;胡智杰
• 申請（專利權）人: 鴻富錦精密工業（深圳）有限公司;鴻海精密工業股份有限公司
• 主分類號: C23C28/04
• 分類號: C23C28/04
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種鋁或鋁合金的表面處理方法，其包括如下步驟：

提供一鋁或鋁合金基體；

于該鋁或鋁合金基體的表面注入氮離子、氧離子、硼離子及氮氧雙離子中的一種或者任意兩種的組合離子，形成一離子注入膜；

于該離子注入膜上沉積一磁控濺射膜。

2.如權利要求1所述的表面處理方法，其特征在于：形成所述離子注入膜在一離子注入機中進行，抽真空該離子注入機的真空室至真空度為1×10^-4Pa，設置離子源電壓為30～100kV、離子流束流強度為1～5mA，控制離子注入劑量為1×10¹⁶ions/cm²～1×10¹⁸ions/cm²。

3.如權利要求1所述的表面處理方法，其特征在于：所述磁控濺射膜為一AlON層或一CrON層。

4.如權利要求3所述的表面處理方法，其特征在于：沉積所述磁控濺射膜采用鋁靶為靶材，于基體上施加-50～-200V的偏壓，通入流量為100～250sccm的氬氣、流量為5～60sccm的氮氣及流量為5～40sccm的氧氣，沉積溫度為50～150℃，沉積時間為20～60min。

5.如權利要求1所述的表面處理方法，其特征在于：該表面處理方法還包括在進行離子注入前對所述鋁或鋁合金基體進行前處理的步驟，所述前處理包括拋光及超聲波清洗。

6.一種由鋁或鋁合金制得的殼體，該殼體包括一鋁或鋁合金基體及一磁控濺射膜，其特征在于：該殼體還包括一形成于鋁或鋁合金基體與磁控濺射膜之間的離子注入膜，所述離子注入膜中主要含有AlN、Al₂O₃及AlB?_n過飽和相化合物中的一種或任意兩種的組合。

7.如權利要求6所述的殼體，其特征在于：所述磁控濺射膜為一AlON層，其厚度為1～2.7μm。

8.如權利要求6所述的殼體，其特征在于：所述磁控濺射膜為一CrON層。