[發明專利]雙面圖形芯片直接置放先鍍后刻模組封裝方法

有效

• 申請號: 201010273018.0
• 申請日: 2010-09-04
• 公開（公告）號: CN101958257A
• 公開（公告）日: 2011-01-26
• 發明（設計）人: 王新潮;梁志忠
• 申請（專利權）人: 江蘇長電科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/50
• 分類號: H01L21/50;H01L21/48
• 代理公司: 江陰市同盛專利事務所 32210
• 代理人: 唐紉蘭

(一)技術領域

本發明涉及一種雙面圖形芯片直接置放先鍍后刻模組封裝方法。屬于半導體封裝技術領域。

(二)背景技術

傳統的芯片封裝結構的制作方式是：采用金屬基板的正面進行化學蝕刻及表面電鍍層后，即完成引線框的制作(如圖4所示)。而引線框的背面則在封裝過程中再進行蝕刻。該法存在以下不足：

因為塑封前只在金屬基板正面進行了半蝕刻工作，而在塑封過程中塑封料只有包裹住引腳半只腳的高度，所以塑封體與引腳的束縛能力就變小了，如果塑封體貼片到PCB板上不是很好時，再進行返工重貼，就容易產生掉腳的問題(如圖5所示)。尤其塑封料的種類是采用有填料時候，因為材料在生產過程的環境與后續表面貼裝的應力變化關系，會造成金屬與塑封料產生垂直型的裂縫，其特性是填料比例越高則越硬越脆越容易產生裂縫。

另外，由于芯片與引腳之間的距離較遠，金屬線的長度較長，如圖6～7所示，金屬線成本較高(尤其是昂貴的純金質的金屬線)；同樣由于金屬線的長度較長，使得芯片的信號輸出速度較慢(尤其是存儲類的產品以及需要大量數據的計算，更為突出)；也同樣由于金屬線的長度較長，所以在金屬線所存在的寄生電阻/寄生電容與寄生電桿對信號的干擾也較高；再由于芯片與引腳之間的距離較遠，使得封裝的體積與面積較大，材料成本較高，廢棄物較多。

(三)發明內容

本發明的目的在于克服上述不足，提供一種不會再有產生掉腳的問題和能使金屬線的長度縮短的雙面圖形芯片直接置放先鍍后刻模組封裝方法。

本發明的目的是這樣實現的：一種雙面圖形芯片直接置放先鍍后刻模組封裝方法，所述方法包括以下工藝步驟：

步驟一、取金屬基板

取一片厚度合適的金屬基板，

步驟二、金屬基板正面及背面被覆光阻膠膜

利用被覆設備在金屬基板的正面及背面分別被覆可進行曝光顯影的光阻膠膜，以保護后續的電鍍金屬層工藝作業，

步驟三、金屬基板正面的光阻膠膜進行需要電鍍金屬層區域的曝光/顯影以及開窗

利用曝光顯影設備將步驟二完成光阻膠膜被覆作業的金屬基板正面進行曝光顯影去除部分光阻膠膜，以露出金屬基板正面后續需要進行電鍍金屬層的區域，

步驟四、金屬基板正面已開窗的區域進行金屬層電鍍被覆

對步驟三中金屬基板正面已開窗的區域進行第一金屬層電鍍被覆，該第一金屬層置于所述引腳的正面，

步驟五、金屬基板正面及背面進行光阻膠膜去膜

將金屬基板正面余下的光阻膠膜以及金屬基板背面的光阻膠膜全部揭除，

步驟六、金屬基板正面及背面被覆光阻膠膜

利用被覆設備在金屬基板的正面及背面分別被覆可進行曝光顯影的光阻膠膜，以保護后續的蝕刻工藝作業，

步驟七、金屬基板背面的光阻膠膜進行需要蝕刻區域的曝光/顯影以及開窗

利用曝光顯影設備將步驟六完成光阻膠膜被覆作業的金屬基板背面進行曝光顯影去除部分光阻膠膜，以露出局部金屬基板以備后續需要進行的金屬基板背面蝕刻作業，

步驟八、金屬基板進行背面蝕刻作業

完成步驟七的曝光/顯影以及開窗作業后，即在金屬基板的背面進行各圖形的蝕刻作業，蝕刻出引腳的背面，同時將引腳正面盡可能的延伸到后續貼裝芯片的區域下方，

步驟九、金屬基板正面及背面進行光阻膠膜去膜

將金屬基板背面余下的光阻膠膜和金屬基板的光阻膠膜全部揭除，

步驟十、包封無填料的塑封料(環氧樹脂)

將已完成步驟九所述去膜作業的金屬基板背面進行包封無填料的塑封料作業，并進行塑封料包封后的固化作業，使引腳外圍的區域以及引腳與引腳之間的區域均嵌置無填料的塑封料(環氧樹脂)，該無填料的塑封料(環氧樹脂)將引腳下部外圍以及引腳下部與引腳下部連接成一體，

步驟十一、被覆光阻膠膜

利用被覆設備在將已完成包封無填料塑封料作業的金屬基板的正面及背面分別被覆可進行曝光顯影的光阻膠膜，以保護后續的蝕刻工藝作業，

步驟十二、已完成包封無填料塑封料作業的金屬基板的正面進行需要蝕刻區域的曝光/顯影以及開窗

利用曝光顯影設備將步驟十一完成光阻膠膜被覆作業的已完成包封無填料塑封料作業的金屬基板正面進行曝光顯影去除部分光阻膠膜，以備后續需要進行金屬基板正面蝕刻作業，

步驟十三、金屬基板正面蝕刻作業

完成步驟十二的曝光/顯影以及開窗作業后，即在完成包封無填料塑封料作業的金屬基板正面進行各圖形的蝕刻作業，蝕刻出引腳的正面，且使所述引腳的背面尺寸小于引腳的正面尺寸，形成上大下小的引腳結構，