[發明專利]一種分段式反熔絲編程方法、裝置及編程器無效
| 申請號: | 201010271785.8 | 申請日: | 2010-09-03 |
| 公開(公告)號: | CN101944387A | 公開(公告)日: | 2011-01-12 |
| 發明(設計)人: | 劉云龍;譚文堂;黃筆鋒;邱嘉敏;劉波;彭錦軍;張燈 | 申請(專利權)人: | 深圳市國微電子股份有限公司 |
| 主分類號: | G11C17/16 | 分類號: | G11C17/16;G11C17/18 |
| 代理公司: | 深圳中一專利商標事務所 44237 | 代理人: | 張全文 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市南*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 段式 反熔絲 編程 方法 裝置 | ||
技術領域
本發明屬于計算機技術領域,尤其涉及一種分段式反熔絲編程方法、裝置及編程器。
背景技術
反熔絲技術是相對于熔絲技術而言的。熔絲技術廣泛用于各種可編程邏輯器件中,例如,可編程邏輯陣列PAL,當PAL在編程器被燒錄之后,原先短接的點斷開。反熔絲技術剛好相反,原來斷開的點在燒錄之后,短接上了,這種短接是永久性的,所以編程中器件的電流和熱量有明顯增加。反熔絲技術的特點,決定了反熔絲單元較小,占用芯片面積小,工作頻率高。
目前,通過反熔絲技術對可編程只讀存儲器PROM進行編程時,采用的是對連續字節存儲單元進行順序地址編程的方法,以足夠的能量擊穿氧化層從而形成互聯通路,完成編程,這是一個長時間的過程;對于大于8Mb的大容量PROM進行反熔絲編程則需要更長的時間,這樣對存儲芯片編程時造成一定的發熱量,由于器件封裝的原因,熱量無法迅速散發,長時間下會影響對周圍的存儲單元,降低穩定性。另外,為提高存儲單元的可靠性,降低存儲器面積,要求最大限度減少存儲單元可編程余量,這就需要使用位(bit)編程方法對存儲器進行編程。位(bit)編程方法就是每次只對存儲器的某個字節(byte)的其中一位(bit)編程,跟字節編程相比,編程同樣的存儲量,位(bit)編程方式需要8倍以上時間。在如此高電壓、大電流的長時間編程中,如果采用連續單元順序地址編程,將導致某些存儲單元電路由于周圍持續產生熱量而無法編程或者可靠性降低,甚至燒斷金屬連線。
發明內容
本發明實施例的目的在于提供一種分段式反熔絲編程方法,旨在解決由于采用連續單元順序地址編程,導致存儲單元電路由于周圍持續大量發熱而無法編程、可靠性降低,甚至燒斷金屬連線的問題。
本發明實施例是這樣實現的,一種分段式反熔絲編程方法,所述方法包括下述步驟:
根據預設的尋址函數,計算待編程反熔絲字節存儲單元的段地址和偏移量,獲取待編程反熔絲字節存儲單元的邏輯地址;
對所述邏輯地址對應的所述待編程反熔絲字節存儲單元進行反熔絲編程,連續反熔絲編程的兩個字節存儲單元位于不同的段。
本發明實施例的另一目的在于提供一種分段式反熔絲編程裝置,所述裝置包括:
邏輯地址獲取單元,用于根據預設的尋址函數,計算待編程反熔絲字節存儲單元的段地址和偏移量,獲取待編程反熔絲字節存儲單元的邏輯地址;以及
反熔絲編程單元,用于對所述邏輯地址對應的所述待編程反熔絲字節存儲單元進行反熔絲編程,連續反熔絲編程的兩個字節存儲單元位于不同的段。
本發明實施例的另一目的在于提供一種包含分段式反熔絲編程裝置的編程器,所述反熔絲編程裝置包括:
邏輯地址獲取單元,用于根據預設的尋址函數,計算待編程反熔絲字節存儲單元的段地址和偏移量,獲取待編程反熔絲字節存儲單元的邏輯地址;以及
反熔絲編程單元,用于對所述邏輯地址對應的所述待編程反熔絲字節存儲單元進行反熔絲編程,連續反熔絲編程的兩個字節存儲單元位于不同的段。
本發明實施例通過增加尋址函數將連續編程的兩個反熔絲字節存儲單元分布到不同的段,實現對不同分段的存儲單元進行反熔絲編程,從而避免了由于對相鄰存儲單元連續長時間編程產生大熱量而燒壞鄰近存儲單元,有效地提高反熔絲編程的成功率和可靠性。
附圖說明
圖1是本發明第一實施例提供的分段式反熔絲編程方法的實現流程圖;
圖2是本發明第二實施例提供的分段式反熔絲編程裝置的結構圖。
具體實施方式
為了使本發明的目的、技術方案及優點更加清楚明白,以下結合附圖及實施例,對本發明進行進一步詳細說明。應當理解,此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發明,并不用于限定本發明。
本發明實施例通過增加尋址函數將順序編程改成按一定地址間隔編程,使兩個連續反熔絲字節存儲單元分布在不同的段,實現對字節存儲單元進行分段式反熔絲編程,從而避免了由于對相鄰字節存儲單元連續長時間編程產生熱量而影響鄰近存儲單元,有效地提高反熔絲編程的成功率和可靠性。
本發明實施例提供了一種分段式反熔絲編程方法,所述方法包括下述步驟:
根據預設的尋址函數,計算待編程反熔絲字節存儲單元的段地址和偏移量,獲取待編程反熔絲字節存儲單元的邏輯地址;
對所述邏輯地址對應的所述待編程反熔絲字節存儲單元進行反熔絲編程,連續反熔絲編程的兩個字節存儲單元位于不同的段。
本發明實施例還提供了一種分段式反熔絲編程裝置,所述裝置包括:
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