[發(fā)明專利]光電裝置及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010271646.5 | 申請日： | 2010-09-03 |
| 公開（公告）號： | CN102013447A | 公開（公告）日： | 2011-04-13 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 明承燁 | 申請（專利權(quán)）人： | 韓國鐵鋼株式會社 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18;H01L31/052 |
| 代理公司： | 北京萬慧達知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11111 | 代理人： | 鄔玥;葛強 |
| 地址： | 韓國慶*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 光電 裝置 及其 制造 方法 | ||
1.一種光電裝置的制造方法，該制造方法包括以下步驟：
在基板上形成第一電極；
在所述第一電極上形成將光能轉(zhuǎn)換成電能的第一單元電池；
在所述第一單元電池上形成排列有金屬納米粒子的中間反射膜；以及
在所述中間反射膜上形成將光能轉(zhuǎn)換成電能的第二單元電池。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電裝置的制造方法，其特征在于：所述第一單元電池和第二單元電池包括p型半導(dǎo)體層、純半導(dǎo)體層、n型半導(dǎo)體層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電裝置的制造方法，其特征在于：所述金屬納米粒子的排列是通過真空沉積法或常溫排列法來形成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電裝置的制造方法，其特征在于：
形成排列有所述金屬納米粒子的中間反射膜的步驟包括下述步驟：
在所述第一單元電池上形成金屬氧化膜、氧化膜、氮化膜或者碳合金；
在所述金屬氧化膜、氧化膜、氮化膜或者碳合金上排列所述金屬納米粒子；且
使另外的金屬氧化膜、氧化膜、氮化膜或者碳合金按照能夠覆蓋所述納米粒子的方式形成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電裝置的制造方法，其特征在于：
形成排列有所述金屬納米粒子的中間反射膜的步驟包括下述步驟：
在所述第一單元電池上排列所述金屬納米粒子；
使金屬氧化膜、氧化膜、氮化膜或者碳合金按照能夠覆蓋所述納米粒子的方式形成。
6.根據(jù)權(quán)利要求1、4、5中任一項所述的光電裝置的制造方法，其特征在于：還包括在所述中間反射膜上摻雜雜質(zhì)的步驟。
7.一種光電裝置，其包括：
第一電極，位于基板上；
第一單元電池，位于所述第一電極，且將光能轉(zhuǎn)換成電能；
中間反射膜，位于所述第一單元電池上，且排列有金屬納米粒子；
第二單元電池，位于所述中間反射膜上，且將光能轉(zhuǎn)換成電能。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的光電裝置，其特征在于：所述第一單元電池和所述第二單元電池包括p型半導(dǎo)體層、純半導(dǎo)體層、n型半導(dǎo)體層。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的光電裝置，其特征在于：所述中間反射膜包括嵌入有所述金屬納米粒子的金屬氧化膜、氧化膜、氮化膜或者碳合金。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的光電裝置，其特征在于：所述金屬納米粒子包括金、銀、鋁、鉑、銅、鎳、鉻、鋅、鈦、錫其中的至少一種。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的光電裝置，其特征在于：所述金屬納米粒子包括金屬氧化物。
12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的光電裝置，其特征在于：在500nm至700nm的波長內(nèi)，所述中間反射膜的折射率為1.7至2.2。
13.根據(jù)權(quán)利要求7所述的光電裝置，其特征在于：所述金屬納米粒子的直徑為5nm至100nm。
14.根據(jù)權(quán)利要求7或者8所述的光電裝置，其特征在于：在所述中間反射膜內(nèi)摻雜有雜質(zhì)。
15.根據(jù)權(quán)利要求7所述的光電裝置，其特征在于：所述中間反射膜包括氫化n型氧化硅、氫化n型碳化硅或者氫化n型氮化硅。
16.根據(jù)權(quán)利要求7所述的光電裝置，其特征在于：所述中間反射膜包括氫化n型納米晶氧化硅、氫化n型納米晶碳化硅或者氫化n型納米晶氮化硅。
17.根據(jù)權(quán)利要求7所述的光電裝置，其特征在于：所述中間反射膜的厚度為30nm至2000nm。
18.根據(jù)權(quán)利要求7所述的光電裝置，其特征在于：所述金屬納米粒子的平面填充率為0.1％至10％。
19.根據(jù)權(quán)利要求7所述的光電裝置，其特征在于：所述光電裝置的太陽能電池額定工作溫度為35℃以上時，所述第一單元電池和所述第二單元電池中，離光入射一側(cè)近的單元電池的短路電流比另一個單元電池的短路電流小或者相同。
20.根據(jù)權(quán)利要求7所述的光電裝置，其特征在于：所述光電裝置的太陽能電池額定工作溫度低于35℃時，所述第一單元電池和所述第二單元電池中，離光入射一側(cè)近的單元電池的短路電流比另一個單元電池的短路電流大或者相同。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
