[發明專利]LED芯片及其制備方法

有效

• 申請號: 201010271491.5
• 申請日: 2010-09-03
• 公開（公告）號: CN101944564A
• 公開（公告）日: 2011-01-12
• 發明（設計）人: 姚禹;許亞兵;戚運東;羅正加
• 申請（專利權）人: 湘能華磊光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/22
• 分類號: H01L33/22
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 吳貴明

1.一種LED芯片，包括外延片、形成在所述外延片上的透明電極層和芯片電極，其特征在于，所述芯片的邊緣呈波紋狀或者鋸齒狀。

2.根據權利要求1所述的芯片，其特征在于，所述透明電極層表面具有波紋狀圖案。

3.根據權利要求1所述的芯片，其特征在于，所述波紋狀的圓弧半徑為3-5微米，所述鋸齒狀的縱深為2-3微米。

4.根據權利要求2所述的芯片，其特征在于，所述透明電極層的厚度為

5.根據權利要求2所述的芯片，其特征在于，所述透明電極層具有1∶1的蝕刻深度。

6.一種制備權利要求1-5中任一項所述芯片的方法，包括以下步驟：

在外延片上鍍透明電極層，并進行MESA圖形光刻；

化學蝕刻；

等離子體刻蝕；

透明電極圖形光刻；

芯片電極圖形光刻；以及

金屬蒸鍍和剝離形成電極，其特征在于，所述MESA圖形光刻所用光刻版的邊緣制作成波紋狀或者鋸齒狀。

7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，將所述光刻版的切割道制作成波紋狀或多個等邊三角形相連的方式。

8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，所述切割道的波紋狀呈相鄰兩個半圓形沿一個軸線交錯相連的方式，半圓的半徑大于2微米，小于等于3微米。

9.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，所述等邊三角形的邊長為5微米。

10.根據權利要求6-9中任一項所述的方法，其特征在于，采用ITO蝕刻液對所述透明電極圖形光刻完成后的芯片進行蝕刻，獲得1∶1的蝕刻深度。