[發明專利]一種基于自離子注入SOI材料的近紅外室溫發光器件

無效

• 申請號: 201010271290.5
• 申請日: 2010-09-03
• 公開（公告）號: CN101982890A
• 公開（公告）日: 2011-03-02
• 發明（設計）人: 王茺;楊宇;韋冬;周原;李亮
• 申請（專利權）人: 云南大學
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/06
• 代理公司: 昆明今威專利代理有限公司 53115
• 代理人: 楊宏珍

1.一種基于自離子注入SOI材料的近紅外室溫發光器件，其特征在于本發明的發光器件在1.50-1.60μm范圍的室溫強發光，器件基于缺陷環及缺陷環附近點缺陷的發光，發光器件結構從下往上分別是本征Si襯底→注氧的氧化Si隔離層→p⁺型Si下電極層→發光有源層→n⁺型Si上電極層，發光器件的外量子效率為0.05％～0.8％；本發明的近紅外室溫強發光器件經如下步驟得到：

①采用離子注入機將Si⁺自注入用注氧隔離法制備好的SOI硅薄膜層，離子入射方向與硅薄膜表面法線成7°，整個過程在真空、室溫環境下進行，Si⁺注入劑量為10¹²cm^-2-10¹⁶cm^-2，注入能量為80keV-300keV；

②在N₂氣氛下對自注入后的SOI材料采取高溫爐退火處理，退火溫度700℃～1200℃，退火時間為0.5～12小時，保護氣氛為氮或氬氣；

③將處理后的SOI材料制成基于缺陷發光的發光器件。