[發明專利]氮化硅涂層石英坩堝的制備方法

無效

• 申請號: 201010271031.2
• 申請日: 2010-09-03
• 公開（公告）號: CN101913776A
• 公開（公告）日: 2010-12-15
• 發明（設計）人: 唐竹興
• 申請（專利權）人: 山東理工大學
• 主分類號: C03C17/22
• 分類號: C03C17/22;C30B15/10
• 代理公司: 青島發思特專利商標代理有限公司 37212
• 代理人: 馬俊榮

1.一種氮化硅涂層石英坩堝的制備方法，其特征在于：包括陶瓷漿料制備、涂覆涂層、干燥和燒成，將粒度為0.01-3μm的單晶硅硅粉體和粒度為0.01-3μm二氧化硅粉體混合形成陶瓷結合劑，再將陶瓷結合劑與粒度為1-5μm氮化硅粉體和乙醇在球磨機中制成氮化硅陶瓷漿料，經真空處理后噴涂到未經燒制的石英坩堝表面形成厚度為10-100μm的氮化硅涂層，在80～100℃的溫度下干燥，然后在1140℃-1300℃的溫度、氮氣氣氛燒制6-8小時一次燒制制得氮化硅涂層石英坩堝。

2.根據權利要求1所述的氮化硅涂層石英坩堝的制備方法，其特征在于：氮化硅粉體、陶瓷結合劑、乙醇的重量比為30～48∶3～12∶40～67。

3.根據權利要求1或2所述的氮化硅涂層石英坩堝的制備方法，其特征在于：單晶硅硅粉體與二氧化硅粉體的摩爾比為2-5∶1。