[發(fā)明專利]利用光電耦合器封裝長度增加內(nèi)部絕緣距離的一種方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010270791.1
• 申請日: 2010-08-29
• 公開（公告）號: CN102386270A
• 公開（公告）日: 2012-03-21
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 不公告發(fā)明人
• 申請（專利權(quán)）人: 沈震強
• 主分類號: H01L31/12
• 分類號: H01L31/12;H01L31/0203;G02B6/42
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術(shù)領(lǐng)域

本技術(shù)發(fā)明涉及光電耦合器產(chǎn)品封裝結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)提供了一種增加光耦產(chǎn)品內(nèi)部絕緣距離的解決方案。(光電耦合器簡稱光耦)

背景技術(shù)

面對面結(jié)構(gòu)F是目前普遍應(yīng)用的一種光耦產(chǎn)品內(nèi)部結(jié)構(gòu)，如圖1所示，輸入端芯片與輸出端芯片與產(chǎn)品長度的正面平行，輸入端芯片發(fā)出的紅外光直接傳輸至對面的輸出端感光芯片。但面對面結(jié)構(gòu)F對于小型貼片封裝產(chǎn)品(SOP封裝)具有局限性。由于產(chǎn)品厚度的限制(≤2.0毫米)，內(nèi)部絕緣距離(產(chǎn)品內(nèi)部輸入與輸出端導(dǎo)電體之間的最短距離)如圖1中的(106)所示，僅能做到＞0.4毫米，輸入與輸出端之間的高壓耐壓僅能達(dá)到交流3750伏(有效值)。對于高壓耐壓要求為交流5000伏(有效值)的光耦產(chǎn)品，絕緣距離必須做到≥0.75毫米。面對面結(jié)構(gòu)F無法應(yīng)用于光耦耐壓要求為交流5000伏(有效值)的SOP封裝產(chǎn)品。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種利用光電耦合器封裝長度增加內(nèi)部絕緣距離的解決方案，這個方案產(chǎn)生光耦產(chǎn)品的垂直結(jié)構(gòu)V。如圖2所示，與面對面結(jié)構(gòu)F相比，芯片轉(zhuǎn)了90度，與產(chǎn)品長度的正面垂直，安裝在金屬支架的頂端，這樣避開了產(chǎn)品厚度的限制，利用產(chǎn)品長度提供的空間使內(nèi)部絕緣距離＞0.75毫米。本發(fā)明產(chǎn)生的《光耦產(chǎn)品垂直結(jié)構(gòu)V》的有益效果是增加了光耦內(nèi)部絕緣距離。譬如對光耦中的小型貼片封裝產(chǎn)品(SOP封裝，產(chǎn)品厚度≤2.0毫米)的內(nèi)部絕緣距離從僅大于0.4毫米提高到0.75毫米以上，從而使產(chǎn)品的耐高壓能力從交流3750伏(有效值)提高到5000伏以上(有效值)。

本發(fā)明通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)：

在生產(chǎn)光電耦合器金屬框架時，用沖壓法在其頂端形成垂直面，在不同的垂直框架的垂直面上分別安裝輸入端芯片和輸出端芯片，再焊接上金屬線，然后通過精密模具定位使得輸入端芯片和輸出端芯片處在面對面的位置，并使內(nèi)部絕緣距離達(dá)到相應(yīng)的要求，定位是通過精密模具上的定位針和金屬框架上的定位孔達(dá)到精確定位的，然后進(jìn)行透光材料封裝，再進(jìn)行外部封裝。

附圖說明

圖1是面對面結(jié)構(gòu)F。

圖2是本發(fā)明的光耦產(chǎn)品垂直結(jié)構(gòu)V。

圖3是本發(fā)明的光耦產(chǎn)品垂直結(jié)構(gòu)V的俯視圖。

圖4是芯片不在同一軸線上的垂直結(jié)構(gòu)V俯視圖。

圖5是垂直支架裝配圖。

圖6是封裝前支架及模具定位圖。

圖7是封裝前支架放大示意圖。

圖8是封裝模具及定位針放大示意圖。

圖9是封裝后的產(chǎn)品及支架。

具體實施方式

實施例

《垂直結(jié)構(gòu)V》如圖2所示，其中(201)為產(chǎn)品厚度，(202)為產(chǎn)品長度，(203)為外封裝材料，(204)為透光封裝材料，(205)為芯片，(206)為內(nèi)部絕緣距離，(207)為內(nèi)部高壓滲透距離，(208)為金屬支架。圖3和圖4為兩種封裝形式以適應(yīng)不同的輸入和輸出端的電性能引線要求，其中圖3芯片安裝在同一軸線上，圖4芯片安裝在不同的軸線上。這種結(jié)構(gòu)利用產(chǎn)品長度提供的空間使內(nèi)部絕緣距離(206)從大于0.4毫米提高到0.75毫米以上。比如應(yīng)用到小型貼片封裝光耦(SOP封裝，產(chǎn)品厚度≤2.0毫米)產(chǎn)品時，能使耐高壓能力從交流3750伏(有效值)提高到5000伏以上(有效值)。

應(yīng)用光耦產(chǎn)品垂直結(jié)構(gòu)V技術(shù)，可以在封裝前用垂直支架分別裝配輸入端芯片(501)和輸出端芯片(502)，如圖5所示。內(nèi)部絕緣距離(206)可以在封裝透光材料(204)時用精密模具定位來保障，如圖6所示。圖7所示是封裝前支架放大示意圖。圖8所示是封裝模具及定位針放大示意圖。圖9所示是封裝后的產(chǎn)品及支架。