[發明專利]蝕刻方法和光掩模坯料的加工方法

有效

• 申請號: 201010270048.6
• 申請日: 2010-05-14
• 公開（公告）號: CN101968605A
• 公開（公告）日: 2011-02-09
• 發明（設計）人: 五十嵐慎一;稻月判臣;金子英雄;吉川博樹;木名瀨良紀
• 申請（專利權）人: 信越化學工業株式會社
• 主分類號: G03F1/08
• 分類號: G03F1/08;H01L21/00
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 李帆

1.一種對形成于襯底上的加工層的干蝕刻方法，包括步驟：

在形成于襯底上的加工層上形成硬掩模層，

在該硬掩模層上形成抗蝕劑圖形，

通過使用該抗蝕劑圖形而實施的第一干蝕刻將該抗蝕劑圖形轉移至所述硬掩模層，及，

通過使用以上轉移至所述硬掩模層得到的硬掩模圖形而實施的第二干蝕刻對所述加工層進行圖形化，

其中通過所述第一干蝕刻將所述硬掩模層圖形化后，在已經實施過所述第一干蝕刻的蝕刻裝置中，通過改變干蝕刻氣體中副成分的濃度而不改變干蝕刻氣體中主成分的濃度，利用所述第二干蝕刻對所述加工層進行圖形化。

2.根據權利要求1的干蝕刻方法，

其中所述硬掩模層是含氧和/或氮并且可含有過渡金屬的硅基材料層；

所述加工層是可含有過渡金屬并且其中氧和氮的總含量低于所述硬掩模層中氧和氮的總含量的硅基材料層；

所述干蝕刻氣體的主成分為氯基氣體；并且

所述干蝕刻氣體的副成分為氧氣。

3.一種光掩模坯料的加工方法，包括通過使用根據權利要求1的干蝕刻方法來加工光掩模坯料的光學膜。

4.根據權利要求3的光掩模坯料的加工方法，其中所述光學膜為遮光膜，并且該遮光膜包括作為上層的硬掩模層和作為下層的加工層。

5.根據權利要求4的光掩模坯料的加工方法，其中所述上層通過反應濺射形成，并且在形成該上層期間控制反應氣體以使該上層中氧和氮的總含量高于下層中氧和氮的總含量。

6.根據權利要求4的光掩模坯料的加工方法，其中所述上層通過對所述遮光膜的表面側部分進行氧化處理而形成，以使該上層中氧和氮的總含量高于構成遮光層剩余部分的下層中氧和氮的總含量。

7.根據權利要求3的光掩模坯料的加工方法，

其中使用這樣的光掩模坯料，其中構成所述上層的材料中氧和氮的總含量C₁(mol％)與構成所述下層的材料中氧和氮的總含量C₂(mol％)之間的差值(C₁-C₂)不小于5；并且

實施這樣的氯基干蝕刻，其中所述第二干蝕刻中氯基氣體與氧氣之間的量的比率((氧氣)/(氯基氣體)(摩爾比))設置在0.001～1的范圍內。

8.根據權利要求3的光掩模坯料的加工方法，其中所述加工層的可含有過渡金屬并且氧和氮的總含量低于所述硬掩模層的硅基材料，或是含氧和/或氮并且可含有過渡金屬的硅基材料，或是可含有過渡金屬并且既不含氧也不含氮的硅基材料。

9.根據權利要求3的光掩模坯料的加工方法，其中所述過渡金屬選自由鈦、釩、鈷、鎳、鋯、鈮、鉬、鉿、鉭和鎢組成的組中的至少一種。