[發明專利]陶瓷電子部件以及陶瓷電子部件的制造方法

有效

• 申請號: 201010269342.5
• 申請日: 2010-08-31
• 公開（公告）號: CN102005297A
• 公開（公告）日: 2011-04-06
• 發明（設計）人: 櫻井隆司;吉原信也;小野寺晃;阿部壽之;今野正彥;栗本哲;進藤宏史;堀田哲廣;渡邊源一;伊藤義和
• 申請（專利權）人: TDK株式會社
• 主分類號: H01G4/228
• 分類號: H01G4/228;H01G4/252;H01C1/142;H01C10/00;H01C17/00;H01C17/28
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

1.一種陶瓷電子部件，其特征在于，

所述陶瓷電子部件具備：

埋設有內部電極的長方體形狀的芯片素體；和

覆蓋露出所述內部電極的所述芯片素體的端面并與所述內部電極電連接的端子電極，

所述端子電極具備：

基底電極層，覆蓋所述芯片素體的所述端面，含有Cu并且通過燒結而形成；

焊料層，覆蓋所述基底電極層的整體，并由Sn-Ag-Cu-Ni-Ge的五元系無鉛焊料形成；

擴散層，在所述基底電極層與所述焊料層之間通過Ni擴散而形成。

2.如權利要求1所述的陶瓷電子部件，其特征在于，

所述端子電極覆蓋所述芯片素體的所述端面，并且覆蓋垂直于所述端面的所述芯片素體的側面的一部分，

所述基底電極層具備：

第一電極層，通過將Cu膏體涂布于所述芯片素體而形成，并具有覆蓋所述芯片素體的所述端面的頂部以及覆蓋所述側面的一部分的側部；以及

第二電極層，通過將Cu薄片貼于所述第一電極層而形成，覆蓋所述第一電極層的所述頂部，并且以使所述側部的一部分露出的方式覆蓋所述側部，

所述第一電極層的玻璃含有量比所述第二電極層多。

3.如權利要求2所述的陶瓷電子部件，其特征在于，

在所述第二電極層中不含有玻璃。

4.一種陶瓷電子部件的制造方法，其特征在于，

所述陶瓷電子部件具備：

埋設有內部電極的長方體形狀的芯片素體；和

覆蓋露出所述內部電極的所述芯片素體的端面并與所述內部電極電連接的端子電極，

所述制造方法具有以下工序：

芯片素體準備工序，準備所述芯片素體；

基底電極層形成工序，用含有Cu的導電膏體覆蓋所述芯片素體的所述端面，并通過燒結而形成所述端子電極中的基底電極層；

焊料層形成工序，通過用熔融了的Sn-Ag-Cu-Ni-Ge的五元系無鉛焊料覆蓋所述基底電極層的整體，從而形成所述端子電極中的焊料層；

擴散層形成工序，在所述基底電極層與所述焊料層之間通過使Ni擴散，從而形成所述端子電極中的擴散層。

5.如權利要求4所述的陶瓷電子部件的制造方法，其特征在于，

所述端子電極覆蓋所述芯片素體的所述端面，并且覆蓋垂直于所述端面的所述芯片素體的側面的一部分，

所述基底電極層形成工序具備：

第一電極膏體層形成工序，將Cu膏體涂布于所述芯片素體，并以使其具有覆蓋所述芯片素體的所述端面的頂部以及覆蓋所述側面的一部分的側部的方式，形成第一電極膏體層；

第二電極膏體層形成工序，將Cu薄片貼于所述第一電極膏體層，覆蓋所述頂部，并且以使所述側部的一部分露出的方式覆蓋所述側部，形成玻璃的含有量比所述第一電極膏體層少的第二電極膏體層；

燒結工序，通過對所述第一電極膏體層以及所述第二電極層膏體層進行燒結，從而形成第一電極層以及第二電極層。

6.如權利要求4或者5所述的陶瓷電子部件的制造方法，其特征在于，

通過使熔融了的五元系無鉛焊料附著于所述基底電極層，從而同時地進行所述焊料層形成工序中的所述焊料層的形成以及所述擴散層形成工序中的所述擴散層的形成。