[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其制造方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010268635.1
• 申請(qǐng)日: 2010-09-01
• 公開（公告）號(hào): CN102386056A
• 公開（公告）日: 2012-03-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃瑋
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 無錫華潤上華半導(dǎo)體有限公司;無錫華潤上華科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/02
• 分類號(hào): H01L21/02;H01L23/544
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 常亮;李辰

1.一種半導(dǎo)體器件制造方法，其特征在于，包括：

提供襯底；

在所述襯底中形成對(duì)位游標(biāo)摻雜區(qū)；

在具有對(duì)位游標(biāo)摻雜區(qū)的襯底上覆蓋氧化層，所述襯底上的對(duì)位游標(biāo)摻雜區(qū)部分為第一區(qū)域，對(duì)位游標(biāo)摻雜區(qū)之外的部分為第二區(qū)域；

去除第二區(qū)域的氧化層而暴露出襯底表面；

以第一區(qū)域的氧化層為掩膜，在襯底表面形成外延層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述襯底中形成對(duì)位游標(biāo)摻雜區(qū)具體包括：

在所述襯底表面形成圖案化的光刻膠層；

以所述圖案化的光刻膠層為掩膜在襯底中注入雜質(zhì)，形成對(duì)位游標(biāo)摻雜區(qū)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，在具有對(duì)位游標(biāo)摻雜區(qū)的襯底上覆蓋氧化層具體包括：

去除襯底表面圖案化的光刻膠層；

對(duì)襯底進(jìn)行退火氧化，形成氧化層。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，在具有對(duì)位游標(biāo)摻雜區(qū)的襯底上覆蓋氧化層之后，還包括：在具有氧化層的襯底上沉積氮化層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一區(qū)域氧化層的厚度大于第二區(qū)域。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，去除第二區(qū)域的氧化層而暴露出襯底表面具體包括：

在第一區(qū)域的氧化層上形成保護(hù)層；

去除第二區(qū)域的氧化層，并清洗第一區(qū)域的保護(hù)層。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述保護(hù)層為光刻膠層。

8.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括：

襯底；

所述襯底中的對(duì)位游標(biāo)；

所述對(duì)位游標(biāo)之外的襯底上的外延層。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述襯底中的對(duì)位游標(biāo)的形成過程為：

在所述襯底中形成對(duì)位游標(biāo)摻雜區(qū)；

在具有對(duì)位游標(biāo)摻雜區(qū)的襯底上覆蓋氧化層，所述對(duì)位游標(biāo)摻雜區(qū)的氧化層即為對(duì)位游標(biāo)。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述對(duì)位游標(biāo)之外的襯底上的外延層的形成過程為：

在襯底中的對(duì)位游標(biāo)上形成保護(hù)層；

去除對(duì)位游標(biāo)之外的襯底上的氧化層，并清洗對(duì)位游標(biāo)上的保護(hù)層；

以所述對(duì)位游標(biāo)為掩膜，在襯底表面形成外延層。