[發(fā)明專利]一種高彎曲強度鐵氧體的制備方法

無效

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• 申請日: 2010-08-31
• 公開（公告）號: CN101921105A
• 公開（公告）日: 2010-12-22
• 發(fā)明（設計）人: 榮芬
• 申請（專利權）人: 常熟市麥克司磁業(yè)有限公司
• 主分類號: C04B35/26
• 分類號: C04B35/26;C04B35/622
• 代理公司: 蘇州廣正知識產(chǎn)權代理有限公司 32234
• 代理人: 張利強

技術領域

本發(fā)明涉及一種MnZn系鐵氧體的制備方法，特別是一種用于制作磁芯的MnZn系鐵氧體的制備方法。

背景技術

軟磁鐵氧材料作為一種功能材料已在國民經(jīng)濟的各個領域得到廣泛的應用。隨著信息產(chǎn)業(yè)、數(shù)字技術及光纖通信技術等的發(fā)展，軟磁鐵氧體的應用領域還在不斷擴展，幾乎覆蓋了已有的各種頻段的整機、設備分機和元器件，與人們的日常生活息息相關。

軟磁鐵氧體材料的發(fā)明與實用化，至今已有半個世紀。由于它具有高磁導率、高電阻率、低損耗及陶瓷的耐磨性，因而用軟磁鐵氧體材料制作的偏轉(zhuǎn)線圈、回掃變壓器、旋轉(zhuǎn)變壓器、中周變壓器、脈沖變壓器、開關電源、濾波器、扼流圈、電感器、抗電磁干擾變壓器、電子鎮(zhèn)流器等(廣義稱為電子變壓器)在計算機、微型手機、通信、辦公自動化、顯示器、遠程監(jiān)控、彩色電視接收機、視聽裝置、家用電器、電磁兼容、綠色照明、環(huán)保節(jié)能及電子信息中起著濾波、阻抗變換、能量儲存及能量轉(zhuǎn)換等作用，得到廣泛的應用。

為了適應大電流驅(qū)動，對于鐵氧體磁芯，要求在高溫下、例如100℃以上的溫度范圍內(nèi)的高飽和磁通密度。此外，為了保證優(yōu)良的磁穩(wěn)定性和高可信賴性，期望有可以降低100℃附近的磁芯損耗值，又可以減少磁損耗值對溫度的依賴性，并具有優(yōu)良的高溫貯存性的鐵氧體。

此外，由于要適應鐵氧體磁芯的小型化和薄型化，所以需要其具有高抗彎強度。然而，大部分用于變壓器的錳鋅鐵氧體存在抗彎強度低的問題。此外，在具有將變壓器浸入焊料槽進行焊料焊接工序的情況下，磁芯還要具有耐熱沖擊性。

現(xiàn)有技術主要關注高飽和磁通密度、100℃附近磁芯損耗的降低、以及在高溫貯存時的磁芯損耗劣化等的效果而進行組分配合的技術，而并非是以特別是抗彎強度為目的而進行組分配合的技術。因此，現(xiàn)有的鐵氧體產(chǎn)品的抗彎強度并不是十分令人滿意。

發(fā)明內(nèi)容

針對上述缺陷，本發(fā)明提供了一種鐵氧體的制備方法，所制備的鐵氧體抗彎強度高，并具有高飽和磁通密度特性和優(yōu)良的降低磁芯損耗值的溫度依賴性的性能，同時磁芯還具有優(yōu)良的耐沖擊性。

為解決上述技術問題，本發(fā)明采用如下技術方案：

一種高彎曲強度鐵氧體的制備方法，所述制備方法步驟具體如下：

(1)、選料：主料：55.5～58.5mol％的Fe2O3，4.5～9.5mol％的ZnO，其余為MnO；輔料：0.5～1.5mol％的LiO和600～2000ppm的CoO的混合物。

(2)、混合：采用球磨機，對主料粉末進行濕式混合、干燥、粉碎、篩分；

(3)、煅燒：在700～1000℃溫度范圍，持續(xù)煅燒1～5小時；

(4)、粉碎：在步驟(2)成品中添加輔料后，進行二次粉碎，粉碎到平均粒徑為0.5～5.0μm；

(5)、造粒：加入粘合劑混合，采用噴霧造粒法得到平均直徑為80～200μm的顆粒；

(6)、成型：將步驟(3)成品烘干后壓制成型，并進行修整得到成型體；

(7)、燒結：在控制氧氣氛條件下，在1150～1350℃的范圍內(nèi)持續(xù)燒結3～5小時。

在本發(fā)明一較佳實施例中，所述CoO的含量為800～1500ppm。

在本發(fā)明一較佳實施例中，所述燒結體的燒結密度大于4.8g/cm3。

在本發(fā)明一較佳實施例中，所述輔料還包括SiO₂、CaCO₃、Nb₂O₅、V₂O₅、Ta₂O₅、NiO、TiO₂、SnO₂一種或幾種。

與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明具有以下的優(yōu)點：

所制備的鐵氧體抗彎強度高，并具有高飽和磁通密度特性和優(yōu)良的降低磁芯損耗值的溫度依賴性的性能，同時磁芯還具有優(yōu)良的耐沖擊性。

具體實施方式

為了使本技術領域的人員更好地理解本發(fā)明的技術方案，并使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂，下面結合實施例對本發(fā)明作進一步詳細的說明。

當氧化鐵的含量增加時，高溫區(qū)的飽和磁通密度上升，另一方面，磁芯損耗會有退化的傾向；因此本發(fā)明將氧化鐵的含量設定為55.5～58.5mol％。

氧化鋅的含量也影響飽和磁通密度以及磁芯損耗同時隨著氧化鋅含量的增加，底部溫度向高溫側(cè)移動，因此本發(fā)明將氧化鋅的含量設定為4.5～9.5mol％。