[發明專利]光刻工藝的顯影方法無效
| 申請號： | 201010268601.2 | 申請日： | 2010-09-01 |
| 公開（公告）號： | CN102385262A | 公開（公告）日： | 2012-03-21 |
| 發明（設計）人： | 黃瑋 | 申請（專利權）人： | 無錫華潤上華半導體有限公司;無錫華潤上華科技有限公司 |
| 主分類號： | G03F7/30 | 分類號： | G03F7/30;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮;李辰 |
| 地址： | 214028 江蘇省無*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 光刻 工藝 顯影 方法 | ||
1.一種光刻工藝的顯影方法，其特征在于，包括：
以第一速率旋轉半導體晶片，同時向所述半導體晶片的圓心噴射顯影液，使顯影液浸潤所述半導體晶片表面；
以第二速率旋轉浸潤后的半導體晶片，同時向半導體晶片表面噴射顯影液；
以第三速率旋轉噴射顯影液后的半導體晶片，使顯影液與半導體晶片表面的光刻膠層進行顯影反應；
采用去離子水清洗半導體晶片表面；
其中，所述第一速率大于所述第二速率。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所述第一速率為1000-2000轉/分鐘；
所述以第一速率旋轉半導體晶片的時間為5-7秒。
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所述第二速率為0-100轉/分鐘；
所述以第二速率旋轉浸潤后的半導體晶片的時間為2-3秒。
4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：所述第三速率為0-30轉/分鐘；
所述以第三速率旋轉噴射顯影液后的半導體晶片的時間為15-45秒。
5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于：
利用所述浸潤降低光刻膠層表面張力、增強界面親和力。
6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在以第一速率旋轉半導體晶片之前，還包括：
對經過曝光的半導體晶片進行去離子水浸潤。
7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述采用去離子水清洗半導體晶片表面之前，還包括：
以第四速率旋轉顯影反應后的半導體晶片，同時向半導體晶片表面補充噴射顯影液。
8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于：
所述第四速率為20-100轉/分鐘；
所述以第四速率旋轉顯影反應后的半導體晶片的時間為1-2秒。
9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，以第二速率旋轉浸潤后的半導體晶片時，所述向半導體晶片表面噴射顯影液通過以下方式實現：
以第二速率旋轉所述浸潤后的半導體晶片的同時，顯影液噴嘴位于半導體晶片的圓心位置，并向所述圓心位置噴射顯影液。
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