[發明專利]半導體元件及其制造方法

有效

• 申請號: 201010268531.0
• 申請日: 2010-08-30
• 公開（公告）號: CN102315260A
• 公開（公告）日: 2012-01-11
• 發明（設計）人: 方演燮;李俊昊
• 申請（專利權）人: 美格納半導體有限公司
• 主分類號: H01L29/772
• 分類號: H01L29/772;H01L29/06;H01L29/36
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝;孫海龍

1.一種半導體元件，所述半導體元件包括：

襯底；

通過在所述襯底的表面上的第一位置摻雜而形成的第一井區；

通過在所述襯底的表面上的第二位置以與所述第一井區不同的類型進行摻雜而形成的第二井區；

在所述第一井區和所述第二井區之間的重復區，在所述重復區中，所述第一井區和所述第二井區共存；

在所述第一井區和所述第二井區中形成的絕緣層，所述絕緣層在所述重復區的表面上伸展；

在所述絕緣層上形成的柵極；

在所述第一井區的上部上形成的源區；以及

在所述第二井區的上部上形成的漏區。

2.根據權利要求1所述的半導體元件，其中，所述重復區的寬度為0.2μm至0.7μm。

3.根據權利要求1所述的半導體元件，其中，與所述第一井區和所述第二井區相比，所述重復區的凈摻雜濃度較低。

4.根據權利要求3所述的半導體元件，其中，所述重復區的凈摻雜濃度從與所述第一井區的邊界到與所述第二井區的邊界逐漸降低。

5.根據權利要求1所述的半導體元件，其中，所述重復區的摻雜濃度在所述襯底的垂直方向變化，并且所述重復區的井濃度剖面隨所述襯底的水平方向的摻雜濃度的變化而彎曲。

6.根據權利要求1所述的半導體元件，所述半導體元件還包括：

通過在所述源區的一部分上以與所述源區相同的類型進行摻雜而形成的輕摻雜漏區，

其中，與所述源區相比，所述輕摻雜漏區的摻雜濃度較低，

其中，所述輕摻雜漏區的至少一部分位于所述柵極的下部上。

7.根據權利要求1所述的半導體元件，所述半導體元件還包括：

在所述漏區的一部分上形成的元件隔離單元。

8.根據權利要求7所述的半導體元件，其中，所述元件隔離單元是與所述第二井區相比深度較淺的淺溝隔離STI。

9.一種制造半導體元件的方法，所述方法包括：

通過對襯底的表面進行摻雜來形成類型彼此不同的第一井區和第二井區以及重復區，在該重復區中，所述一井區和所述第二井區相互交疊；

形成從所述重復區的表面伸展到所述第一井區和所述第二井區的絕緣層；

在所述絕緣層上形成柵極；以及

通過進行離子注入來形成源區和漏區。

10.根據權利要求9所述的方法，其中，所述形成所述第一井區和所述第二井區的步驟包括通過利用低能量進行多次離子注入來逐漸地形成所述第一井區和所述第二井區。

11.根據權利要求9所述的方法，其中，所述重復區的寬度為0.2μm至0.7μm。

12.根據權利要求9所述的方法，其中，與所述第一井區和所述第二井區相比，所述重復區的凈摻雜濃度較低。

13.根據權利要求12所述的方法，其中，所述重復區的凈摻雜濃度從與所述第一井區的邊界到與所述第二井區的邊界逐漸降低。

14.根據權利要求9所述的方法，其中，所述重復區的摻雜濃度在所述襯底的垂直方向變化，并且所述重復區的井濃度剖面隨所述襯底的水平方向的摻雜濃度的變化而彎曲。

15.根據權利要求9所述的方法，所述方法還包括：

通過在所述源區的一部分上以與所述源區相同的類型進行摻雜來形成輕摻雜漏區，

其中，與所述源區相比，所述輕摻雜漏區的摻雜濃度較低，

其中，所述輕摻雜漏區的至少一部分位于所述柵極的下部上。

16.根據權利要求9所述的方法，所述方法還包括：

在所述漏區的一部分上形成元件隔離單元。

17.根據權利要求16所述的方法，其中，所述形成元件隔離單元的步驟包括形成與所述第二井區相比深度較淺的淺溝隔離STI。

18.根據權利要求13所述的方法，其中，所述重復區具有凈摻雜濃度下降速度相互不同的兩個區，并且凈摻雜濃度下降速度較慢的區的寬度比凈摻雜濃度下降速度較快的區的寬度更寬。