[發(fā)明專利]紅外焦平面陣列器件及其制作方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010267967.8 | 申請日: | 2010-08-30 |
| 公開(公告)號: | CN102386268A | 公開(公告)日: | 2012-03-21 |
| 發(fā)明(設計)人: | 歐文;劉戰(zhàn)峰 | 申請(專利權)人: | 中國科學院微電子研究所 |
| 主分類號: | H01L31/101 | 分類號: | H01L31/101;H01L31/18;G01J5/20 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產(chǎn)權代理有限公司 11227 | 代理人: | 逯長明;王寶筠 |
| 地址: | 100029 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 紅外 平面 陣列 器件 及其 制作方法 | ||
技術領域
本發(fā)明涉及紅外成像技術領域,特別涉及一種紅外焦平面陣列器件及其制作方法。
背景技術
紅外成像技術廣泛應用于軍事、工業(yè)、農業(yè)、醫(yī)療、森林防火、環(huán)境保護等各領域,紅外成像裝置的核心部件是紅外焦平面陣列(Infrared?Focal?Plane?Array,IRFPA)。根據(jù)工作原理分類,紅外成像裝置可分為:光子型紅外探測器和非制冷型紅外探測器。
光子型紅外探測器采用窄禁帶半導體材料,如HgCdTe、InSb等,利用光電效應實現(xiàn)紅外光信號向電信號的轉換,因而要工作在77K或更低的溫度下,這就需要匹配笨重而又復雜的制冷設備,導致這種紅外成像裝置難以小型化,攜帶不方便;另一方面,HgCdTe和InSb等材料價格昂貴、制備困難,且與常規(guī)IC工藝不兼容,所以光子型紅外探測器的價格一直居高不下。
上述因素都極大地阻礙了紅外成像裝置(例如紅外攝像機)的廣泛應用,特別是在民用方面,迫切需要開發(fā)一種性能適中、價格低廉的新型紅外攝像機。非制冷型紅外探測器通過紅外探測單元吸收紅外線,繼而紅外能量引起紅外探測單元的電學特性發(fā)生變化,把紅外能量轉化為電信號,通過讀出電路讀取該信號并進行處理。
紅外焦平面陣列器件由多個探測單元的組成,是非制冷型紅外探測器的核心部件,圖1和圖2是現(xiàn)有的兩種非制冷紅外探測器的結構示意圖。這兩種結構主要以單晶硅PN結二極管作為紅外傳感層,利用單晶硅PN結二極管的溫敏特性對加工工藝不敏感的特點,從而有利于制作出均勻性很好的紅外焦平面陣列器件。而且圖中的兩種結構都是采用共振吸收結構來提高紅外吸收效率,為了提高紅外吸收效率,制作有專門的金屬反射層,而其中的金屬反射層結構復雜,制作難度較大。此外,上述兩種結構均是采用兩步釋放法,即第一步采用O2等離子體灰化方法釋放Polymide(聚酰亞胺)犧牲層從而形成襯底上面的共振吸收結構的空腔A,第二步采用XeF2氣相釋放方法釋放襯底內的單晶硅,從而制作出懸空結構的空腔B。主要的問題在于,共振吸收結構非常復雜,不易于制造,而且Polymide犧牲層材料與常規(guī)的IC工藝也不兼容。
發(fā)明內容
本發(fā)明解決的問題是提供一種紅外焦平面陣列器件,其結構既能夠提高紅外吸收效率又能夠采用常規(guī)的IC制作工藝,有利于降低制作成本。
為解決上述問題,本發(fā)明提供一種紅外焦平面陣列器件,包括:
襯底;
空腔,位于所述襯底內;
紅外傳感層,懸空于所述空腔的上方;
懸臂梁,懸空于所述襯底上方,一端與襯底固定連接,另一端與紅外傳感層固定連接;
紅外反射層,遮蓋于所述紅外傳感層的上方并且與紅外傳感層之間具有共振腔,通過支撐柱與所述紅外傳感層連接。
優(yōu)選的,所述空腔周圍的襯底為用于散熱的熱沉,所述懸臂梁與襯底連接的一端即連接在所述熱沉上。
所述懸臂梁基本設置于所述熱沉上方,與熱沉之間具有間隙。
所述懸臂梁包括電引線及電引線介質層,所述電引線從紅外傳感層吸收熱量并散入所述熱沉。
優(yōu)選的,所述紅外傳感層包括單晶硅電阻、單晶硅PN結二極管、單晶鍺硅電阻或者單晶鍺硅PN結二極管。
所述襯底為SOI襯底,則所述紅外傳感層由所述SOI襯底中的頂硅層制作。
所述紅外反射層包括金屬層和所述金屬層外部的支撐介質層。
所述金屬層包括Ti或者TiN。
紅外反射層與紅外傳感層之間的共振腔的厚度范圍為1-3.5um。
所述電引線的材料為Ti,TiN或Ti/TiN復合層,所述熱沉的材料為非晶硅或多晶硅。
相應的,本發(fā)明還提供一種紅外焦平面陣列器件的制作方法,包括以下步驟:
提供襯底,在所述襯底上形成熱沉溝槽以及所述熱沉溝槽內的支撐介質層;
去除熱沉溝槽底部的支撐介質層,并在所述熱沉溝槽內形成熱沉;
在所述襯底表面形成第一介質層,并在所述熱沉位置的第一介質層上形成第一釋放犧牲層及第一釋放犧牲層上面的懸臂梁;
在所述熱沉溝槽外的第一介質層上形成紅外傳感層,并在整個襯底表面覆蓋第二釋放犧牲層;
在所述第二釋放犧牲層上形成紅外反射層及其支撐柱;
采用氣相腐蝕方法釋放掉第一釋放犧牲層、第二釋放犧牲層以及紅外傳感層下面的襯底材料。
與現(xiàn)有技術相比,上述技術方案具有以下優(yōu)點:
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- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





