[發明專利]對前層圖形進行對準的方法以及該方法適用的光罩

有效

• 申請號: 201010267510.7
• 申請日: 2010-08-25
• 公開（公告）號: CN102385263A
• 公開（公告）日: 2012-03-21
• 發明（設計）人: 田彬;安輝
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: G03F9/00
• 分類號: G03F9/00;G03F7/20;G03F1/44
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司 11018
• 代理人: 牛崢;王麗琴

1.一種對前層圖形進行對準的方法，其特征在于，包括以下步驟：

首先，在晶圓上的前層圖形中的對準標記附近成型出至少一組檢測圖案，每組所述檢測圖案包括間隔相等并列設置的重復線狀圖案；

然后，對所述檢測圖案進行光學散射測量，得到測量質量最好的一組所述檢測圖案；

再然后，曝光機臺選擇所述質量最好的一組檢測圖案附近的對準標記，進行對晶圓上的前層圖形的對準。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，成型出的每組所述檢測圖案位于長和寬分別為40-60微米(μm)區域范圍內。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，成型出的所述重復線狀圖案的寬度和間隔均為1-10微米(μm)。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在晶圓上的前層圖形中的對準標記附近成型出至少兩組所述檢測圖案，其中兩組所述檢測圖案中的所述重復線狀圖案相互垂直。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，對所述檢測圖案進行的光學散射測量包括對其線寬、厚度、側邊角度、或者光譜中的一項或者幾項進行的測量。

6.一種權利要求1所述的方法適用的光罩，所述光罩上設有用來成型對準標記的對準標記掩影，其特征在于，在所述對準標記掩影附近還設有至少一組用來成型檢測圖案的檢測圖案掩影，每組所述檢測圖案掩影包括間隔相等并列設置的重復線狀圖案掩影。

7.根據權利要求6所述的光罩，其特征在于，所述檢測圖案掩影適合在晶圓上的長和寬分別為40-60微米(μm)區域范圍內成型出的檢測圖案。

8.根據權利要求6所述的光罩，其特征在于，所述重復線狀圖案掩影適合在晶圓上成型寬度和間隔均為1-10微米(μm)的重復線狀圖案。

9.根據權利要求6所述的光罩，其特征在于，所述檢測圖案掩影共設有兩組，兩組所述檢測圖案掩影中的所述重復線狀圖案掩影相互垂直。