[發明專利]自對準間隔物多重圖形化方法

有效

• 申請號: 201010266969.5
• 申請日: 2010-06-25
• 公開（公告）號: CN101963755A
• 公開（公告）日: 2011-02-02
• 發明（設計）人: Y·C·裴;T·卡多拉西亞;劉沂
• 申請（專利權）人: 羅門哈斯電子材料有限公司
• 主分類號: G03F7/00
• 分類號: G03F7/00;G03F7/20;G03F7/40;G03F7/30;H01L21/027;H01L27/04
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 樊云飛

1.一種自對準間隔物多重圖形化方法，包括：

(a)提供包括要被圖形化的一層或多層的半導體襯底；

(b)在要被圖形化的一層或多層上施加第一光敏組合物的第一層，其中，該第一光敏組合物包括第一樹脂成分和光激活成分；

(c)通過圖形化的光掩模將該第一層暴露于激發輻射；

(d)顯影該曝光的第一層以形成光刻膠圖形；

(e)在硬烘烤工藝中熱處理該光刻膠圖形；

(f)采用可有效地使該光刻膠圖形的一個表面堿性化的材料處理該被硬烘烤的光刻膠圖形；

(g)在要被圖形化的一層或多層上施加第二光敏組合物的第二層，其與該光刻膠圖形的堿性表面接觸，該第二光敏組合物包括第二樹脂成分和光酸產生劑；

(h)暴露第二層于激發輻射；以及

(i)顯影該被曝光的第二層以在該要被圖形化的一層或多層上形成間隔物，該間隔物包括在該第二層顯影中沒有被去除的該第二層的部分。

2.根據權利要求1的方法，其特征在于，所述曝光第二層的步驟是整片曝光。

3.根據權利要求1的方法，其特征在于，所述曝光和顯影第二層的步驟分別曝光和去除光刻膠圖形。

4.根據權利要求1的方法，其特征在于，該方法進一步包括在曝光和顯影第二層的步驟之后去除光刻膠圖形。

5.根據權利要求1的方法，其特征在于，該方法進一步包括使用間隔物作為掩模圖形化間隔物下的一層或多層。

6.根據權利要求1的方法，其特征在于，該方法進一步包括：

(i)在間隔物的側壁上形成一間隔物層，其中，該間隔物層是與第二層不同的材料；以及

(j)選擇性地從襯底去除第一間隔物，留下由在要被圖形化的一層或多層上的間隔物層形成的第二間隔物。

7.根據權利要求6的方法，其特征在于，在約150℃或更高的溫度下執行光刻膠圖形的熱處理。。

8.根據權利要求1的方法，其特征在于，所述采用有效地使光刻膠圖形的表面堿性化的材料處理光刻膠圖形包括采用堿性材料和表面活性劑處理該光刻膠圖形。

9.根據權利要求1的方法，其特征在于，所述采用有效地使光刻膠圖形的表面堿性化的材料處理光刻膠圖形包括采用伯胺或仲胺處理該光刻膠圖形。

10.一種被涂覆的襯底，包括：

(a)具有要被圖形化的一層或多層的半導體襯底；

(b)在要被圖形化的一層或多層上的光刻膠圖形，該光刻膠圖形具有一堿性表面；以及

(c)在該第一光刻膠圖形的側壁上的光敏層，該光敏層包括一具有一樹脂成分和一光酸產生劑成分的組合物。