[發明專利]有機電激發光元件及其制造方法

有效

• 申請號: 201010266860.1
• 申請日: 2010-08-24
• 公開（公告）號: CN101958401A
• 公開（公告）日: 2011-01-26
• 發明（設計）人: 謝信弘
• 申請（專利權）人: 友達光電股份有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/56
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 姜燕;陳晨

技術領域

本發明涉及一種發光元件及其制造方法，尤其涉及一種有機電激發光元件及其制造方法。

背景技術

有機電激發光元件(organic?electroluminescent?device)是一種可將電能轉換成光能且具有高轉換效率的半導體元件，其常見的用途為指示燈、顯示面板以及光學讀寫頭的發光元件等。由于有機電激發光元件具備如無視角問題、工藝簡易、低成本、高應答速度、使用溫度范圍廣泛與全彩化等特性，因此符合多媒體時代顯示器特性的要求，可望成為下一代的平面顯示器的主流。

圖1A為一種公知有機電激發光元件的剖面示意圖。請參照圖1A，有機電激發光元件100配置于基板50上，有機電激發光元件100包括柵極101、103、柵絕緣層105、溝道層107、109、蝕刻終止層111、113、源極115、117、漏極119、121、保護層BP1、BP2、像素電極123、連接線125、發光層127及陰極層129。柵極101、103配置于基板50上。柵絕緣層105配置于基板50與柵極101及103上。溝道層107及109配置于柵絕緣層105上并分別位于柵極101及103上。

蝕刻終止層111及113分別配置于溝道層107及109上。源極115及漏極119配置于柵絕緣層105、溝道層107及蝕刻終止層111上。源極117及漏極121配置于柵絕緣層105、溝道層109及蝕刻終止層113上。保護層BP1配置于柵絕緣層105、蝕刻終止層111、113、源極115、117、漏極119、121上，并具有接觸窗CT1、CT2及CT3。像素電極123配置于保護層BP1，并通過接觸窗CT1電性連接漏極119。連接線125配置于保護層BP1上，并通過接觸窗CT2及CT3電性連接柵極101及漏極121。

保護層BP2配置于保護層BP1、像素電極123及連接線125上，并具有開口O1。發光層127配置于保護層BP2及像素電極123上。陰極層129配置于發光層127上。一般而言，有機電激發光元件100為使用七道光刻蝕刻工藝(Photolithography?and?Etching?Process，PEP)來制作，第一道光刻蝕刻工藝用以形成柵極101與103；第二道光刻蝕刻工藝形成溝道層107與109；第三道光刻蝕刻工藝形成蝕刻終止層111與113；第四道光刻蝕刻工藝形成源極115、117與漏極119、121；第五道光刻蝕刻工藝形成接觸窗CT1～CT3；第六道光刻蝕刻工藝形成像素電極123及連接線125；而第七道光刻蝕刻工藝形成開口O1。

圖1B為一種公知有機電激發光元件的剖面示意圖。請參照圖1A及圖1B，有機電激發光元件150的結構相似于有機電激發光元件100，其不同之處在于有機電激發光元件150不具有蝕刻終止層111與113，因此有機電激發光元件150所使用的光刻蝕刻工藝數為六道。并且，有機電激發光元件150中溝道層107、109、源極115、117、漏極119、121的配置位置相反于有機電激發光元件100。

發明內容

本發明提供一種有機電激發光元件及其制造方法，可減少制造有機電激發光元件所使用的光刻蝕刻工藝數，進而降低有機電激發光元件的制造成本。

本發明提出一種有機電激發光元件，適于配置在一基板上。有機電激發光元件包括一第一圖案化導電層、一柵絕緣層、一圖案化半導體層、一第二圖案化導電層、一有機功能層、一陰極層。第一圖案化導電層配置于基板上。第一圖案化導電層包括一第一柵極與一第二柵極。柵絕緣層配置于基板上以覆蓋第一柵極與第二柵極，其中柵絕緣層具有一接觸窗以將第二柵極暴露。圖案化半導體層配置于柵絕緣層上。圖案化半導體層包括一位于第一柵極上方的第一溝道層以及一位于第二柵極上方的第二溝道層。一第二圖案化導電層配置于柵絕緣層上，第二圖案化導電層包括一第一源極、一第一漏極、一第二源極、一第二漏極以及一像素電極，其中第一源極、第一漏極與第一溝道層接觸，第二源極、第二漏極與第二溝道層接觸，而第一漏極通過接觸窗與第二柵極電性連接，且第二漏極與像素電極連接。第二圖案化導電層包括一粘著層、一中間層(middle?layer)及一陽極層。粘著層與柵絕緣層接觸。中間層位于粘著層與陽極層之間，而粘著層、中間層與陽極層實質上具有相同的圖案。有機功能層配置于像素電極上。陰極層配置于有機功能層。

在本發明的一實施例中，上述的圖案化半導體層覆蓋第二圖案化導電層的部分區域。

在本發明的一實施例中，上述的第二圖案化導電層覆蓋圖案化半導體層的部分區域。