[發明專利]降壓用耗盡型N型橫向雙擴散金屬氧化物半導體管

有效

• 申請號: 201010265890.0
• 申請日: 2010-08-27
• 公開（公告）號: CN101969072A
• 公開（公告）日: 2011-02-09
• 發明（設計）人: 孫偉鋒;錢欽松;朱奎英;陸生禮;時龍興
• 申請（專利權）人: 東南大學
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06
• 代理公司: 南京經緯專利商標代理有限公司 32200
• 代理人: 黃雪蘭

1.一種降壓用耗盡型N型橫向雙擴散金屬氧化物半導體管，包括：P型半導體襯底(1)，在P型半導體襯底(1)上設置有N型埋層(2)，在N型埋層(2)上設置有P型阱區(3)，在P型阱區(3)的左右兩側分別設有構成PN結隔離的第一N型阱區(4)及第二N型阱區(19)，在第一N型阱區(4)上設有第一N型歐姆接觸區(21)，在第二N型阱區(19)上設有第二N型歐姆接觸區(22)，在P型阱區(3)表面右側設置有漏端N型漂移區(6)，在漏端N型漂移區(6)表面上設置有N型漏區(10)，在P型阱區(3)表面左側設置有P型接觸區(7)、N型源區(8)和N型溝道注入區(9)，在N型溝道注入區(9)上方設置有柵氧化層(12)，在P型阱區(3)、第一N型阱區(41)及第二N型阱區(42)的表面的P型接觸區(7)、N型源區(8)、N型溝道注入區(9)、N型漏區(10)、第一N型歐姆接觸區(21)和第二N型歐姆接觸區(22)之外區域設置有場氧化層(11)，在柵氧化層(12)的上方設置有多晶硅電極(13)且所述多晶硅電極(13)延伸至和柵氧化層(12)右側相鄰的場氧化層上方，在P型接觸區(7)和多晶硅電極(13)上方布有柵極金屬連線(14)，在N型漏區(10)上方有漏極金屬連線(17)，在N型源區(8)上方有源極金屬連線(16)，在第一N型歐姆接觸區(21)上連接有第一金屬電極連線(18)，在第二N型歐姆接觸區(22)上連接有第二金屬電極連線(20)，在P型接觸區(7)、N型源區(8)、N型漏區(10)、場氧化層(11)、多晶硅電極(13)、第一N型歐姆接觸區(21)和第二N型歐姆接觸區(22)的表面的柵極金屬連線(14)、源極金屬連線(16)、漏極金屬連線(17)、第一金屬電極連線(18)和第二金屬電極連線(20)之外區域設置有介質隔離氧化層(15)，其特征在于在P型阱區(3)內設有P型注入區(5)，且P型注入區(5)的左端邊界位于N型源區(8)的下方，P型注入區(5)的右端邊界與漏端N型漂移區(6)相鄰。

2.根據權利要求1所述的降壓用耗盡型N型橫向雙擴散金屬氧化物半導體管，其特征在于P型注入區(5)距離N型溝道注入區(9)下方0.2～0.5μm。

3.根據權利要求1所述的降壓用耗盡型N型橫向雙擴散金屬氧化物半導體管，其特征在于P型注入區(5)的右端邊界延伸進入漏端N型漂移區(6)。

4.根據權利要求1所述的降壓用耗盡型N型橫向雙擴散金屬氧化物半導體管，其特征在于P型注入區(5)與漏端N型漂移區(6)之間相距0-0.2μm。