[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010265546.1
• 申請日: 2010-08-26
• 公開（公告）號: CN102088034A
• 公開（公告）日: 2011-06-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 車載漢;李倞鎬;金善玖;崔瑩石;金胄浩;蔡桭榮;吳仁澤
• 申請（專利權(quán)）人: 美格納半導(dǎo)體有限會社
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/41;H01L29/36
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 王萍;許向華

1.一種半導(dǎo)體裝置，包括：

在襯底上方配置以便相互接觸的第一導(dǎo)電類型的第一阱和第二導(dǎo)電類型的第二阱；

布置于第一導(dǎo)電類型的第一阱和第二導(dǎo)電類型的第二阱之間的第二導(dǎo)電類型的抗擴散區(qū)；和

配置成同時跨過第一導(dǎo)電類型的第一阱、第二導(dǎo)電類型的抗擴散區(qū)和第二導(dǎo)電類型的第二阱的柵極電極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體裝置，其中所述第二導(dǎo)電類型的抗擴散區(qū)被布置于第一導(dǎo)電類型的第一阱中以便與第一導(dǎo)電類型的第一阱接觸第二導(dǎo)電類型的第二阱的界面接觸。

3.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體裝置，其中所述第二導(dǎo)電類型的抗擴散區(qū)的摻雜濃度比第一導(dǎo)電類型的第一阱和第二導(dǎo)電類型的第二阱的摻雜濃度高。

4.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體裝置，還包括：

配置在所述襯底上方的裝置隔離層；

在所述柵極電極的一側(cè)的一端的配置在所述第一導(dǎo)電類型的第一阱上方的第二導(dǎo)電類型的源極區(qū)；和

配置在第二導(dǎo)電類型的第二阱上方并且與所述柵極電極的另一側(cè)的一端間隔開預(yù)定距離的第二導(dǎo)電類型的漏極區(qū)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4的半導(dǎo)體裝置，其中所述第二導(dǎo)電類型的抗擴散區(qū)根據(jù)提供至所述第二導(dǎo)電類型的漏極區(qū)的電壓而被完全耗盡。

6.根據(jù)權(quán)利要求4的半導(dǎo)體裝置，其中所述裝置隔離層布置于所述柵極電極和所述第二導(dǎo)電類型的漏極區(qū)之間并且部分重疊所述柵極電極的下部。

7.一種半導(dǎo)體裝置，包括：

配置在襯底上方的第二導(dǎo)電類型的深阱；

配置在所述第二導(dǎo)電類型的深阱上方的第一導(dǎo)電類型的阱；

配置在所述第二導(dǎo)電類型的深阱中以便接觸所述第一導(dǎo)電類型的阱的側(cè)壁的第二導(dǎo)電類型的抗擴散區(qū)；和

在所述襯底上方的配置成同時跨過所述第一導(dǎo)電類型的阱、所述第二導(dǎo)電類型的抗擴散區(qū)和所述第二導(dǎo)電類型的深阱的柵極電極。

8.根據(jù)權(quán)利要求7的半導(dǎo)體裝置，其中所述抗擴散區(qū)的摻雜濃度比所述第二導(dǎo)電類型的深阱和所述第一導(dǎo)電類型的阱的摻雜濃度高。

9.根據(jù)權(quán)利要求7的半導(dǎo)體裝置，還包括：

配置在所述襯底上方的裝置隔離層；

在所述柵極電極的一側(cè)的一端的配置在所述第一導(dǎo)電類型的阱的上方的第二導(dǎo)電類型的源極區(qū)；和

配置在所述第二導(dǎo)電類型的深阱上方并且與所述柵極電極的另一側(cè)的一端間隔開預(yù)定距離的第二導(dǎo)電類型的漏極區(qū)。

10.根據(jù)權(quán)利要求9的半導(dǎo)體裝置，其中所述第二導(dǎo)電類型的抗擴散區(qū)根據(jù)提供至所述第二導(dǎo)電類型的漏極區(qū)的電壓而被完全耗盡。

11.根據(jù)權(quán)利要求9的半導(dǎo)體裝置，其中所述裝置隔離層布置于所述柵極電極和所述第二導(dǎo)電類型的漏極區(qū)之間并且部分重疊所述柵極電極的下部。