[發明專利]一種Super Junction VDMOS器件無效
| 申請號： | 201010264774.7 | 申請日： | 2010-08-27 |
| 公開（公告）號： | CN101950759A | 公開（公告）日： | 2011-01-19 |
| 發明（設計）人： | 李澤宏;胡濤;鄧光平;錢振華;洪辛;張波 | 申請（專利權）人： | 電子科技大學 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/417;H01L29/47 |
| 代理公司： | 電子科技大學專利中心 51203 | 代理人： | 葛啟函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 super junction vdmos 器件 | ||
1.一種Super?Junction?VDMOS器件，包括N+襯底(2)、位于N+襯底(2)背底表面的金屬漏極(1)、位于N+襯底(2)表面的Super?Junction結構、多晶硅柵電極(9)和金屬源電極(10)；所述Super?Junction結構由兩個P型柱區(3)中間夾一個N型柱區(4)形成；Super?Junction結構頂部兩側分別具有一個P型基區(5)，P型基區(5)分別與P型柱區(3)和N型柱區(4)接觸；兩個P型基區(5)中分別具有N+源區(6)和P+體區(7)；所述多晶硅柵電極(9)位于P型基區(5)和N型柱區(4)的上方，與P型基區(5)和N型柱區(4)之間通過柵氧化層相絕緣；所述金屬源電極(10)位于器件的最上層，兩端分別與兩個P型基區(5)中的N+源區(6)和P+體區(7)相接觸，與多晶硅柵電極(9)之間通過隔離介質(8)相絕緣；其特征在于，所述多晶硅柵電極(9)在N型柱區(4)上方分成兩段；所述金屬源電極(10)在兩段多晶硅柵電極(9)之間的區域向下延伸進N型柱區(4)，并在與N型柱區(4)相接觸的表面形成溝槽式肖特基接觸結構(11)。
2.根據權利要求1所述的Super?Junction?VDMOS器件，其特征在于，所述金屬源電極(10)兩端與兩個P型基區(5)中的N+源區(6)和P+體區(7)相歐姆接觸的部分為溝槽式結構，該溝槽式歐姆接觸結構向下延伸進N+源區(6)和P+體區(7)。
3.根據權利要求2所述的Super?Junction?VDMOS器件，其特征在于，所述溝槽式歐姆接觸結構向下延伸進N+源區(6)和P+體區(7)，并延伸進P型基區(5)。
4.根據權利要求1至3中任一所述Super?Junction?VDMOS器件，其特征在于，所述溝槽式肖特基接觸結構(11)的肖特基勢壘高度、槽的深度、槽的長度根據器件所要求的導通特性以及寄生體二極管的反向恢復特性進行調節。
5.根據權利要求1至3中任一所述Super?Junction?VDMOS器件，其特征在于，所述溝槽式肖特基接觸結構(11)通過刻槽和金屬淀積工藝實現。
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