[發(fā)明專利]一種電可擦可編程只讀存儲器的讀寫方法

無效

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• 申請日: 2010-08-26
• 公開（公告）號: CN101958151A
• 公開（公告）日: 2011-01-26
• 發(fā)明（設計）人: 陳杰;丁文權
• 申請（專利權）人: 南京通用電器有限公司
• 主分類號: G11C16/06
• 分類號: G11C16/06;G11C16/10
• 代理公司: 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204
• 代理人: 柏尚春

技術領域

本發(fā)明涉及一種數據的讀寫方法，特別是一種用于電可擦可編程只讀存儲器的讀寫方法。?

背景技術

在嵌入式系統(tǒng)中，對頻繁讀寫的數據一般采用EEPROM(Electrically?Erasable?Programmable?Read-Only?Memory，中文譯為：電可擦可編程只讀存儲器)來進行存儲。EEPROM的特點是可電擦除，最小支持單字節(jié)擦寫。目前使用比較多的是Atmel公司的AT24Cxx系列的存儲片，擦寫壽命在10萬次以上。如果按每天改寫10次的話，可以使用30年；同理，如果每天100次的話，將縮短到3年；某些場合，如果數據頻繁修改，將會達到500次以上，那么壽命就縮短到半年甚至更短。?

因此，需要一種新的技術方案以解決上述問題。?

發(fā)明內容

針對上述現有電可擦可編程只讀存儲器所存在的問題和不足，本發(fā)明的目的是提供一種可提高電可擦可編程只讀存儲器壽命的讀寫方法。?

為實現上述目的，本發(fā)明可采用如下技術方案：?

一種電可擦可編程只讀存儲器的讀寫方法，包括以下步驟：?

(1)在電可擦可編程只讀存儲器中設置用以存儲需要讀寫數據的讀寫模塊，且該讀寫模塊分成為若干讀寫頁；?

(2)先將數據放置于第一讀寫頁并循環(huán)的寫入并讀出，若寫入數據與讀出數據相同，則數據繼續(xù)放置在該第一讀寫頁中，若寫入數據與讀出數據不相同，則數據在該第一讀寫頁中重新寫入；?

(3)若數據在第一讀寫頁中的寫入數據與讀出數據重試三次都不相同，則判斷為該第一讀寫頁損壞，然后將數據放置入第二讀寫頁中繼續(xù)讀寫，直至到最后一個讀寫頁中。?

本發(fā)明與現有技術相比：通過將設置的讀寫模塊分成為若干讀寫頁，當前一讀寫頁損壞后將數據放置入下一讀寫頁中繼續(xù)讀寫，使電可擦可編程只讀存儲器的壽命延長。?

具體實施方式

下面結合具體實施方式，進一步闡明本發(fā)明，應理解下述具體實施方式僅用于說明本發(fā)明而不用于限制本發(fā)明的范圍，在閱讀了本發(fā)明之后，本領域技術人?員對本發(fā)明的各種等價形式的修改均落于本申請所附權利要求所限定的范圍。?

本發(fā)明公開一種電可擦可編程只讀存儲器(EEPROM)的讀寫方法，該讀寫方法包括以下步驟：?

(1)在電可擦可編程只讀存儲器中設置用以存儲需要讀寫數據的讀寫模塊，且該讀寫模塊分成為若干讀寫頁；優(yōu)選的實施方式是所述讀寫模塊的空間大小為所述需要讀寫數據的整數倍，該倍數即為讀寫頁的個數，這樣的設置可最優(yōu)化的利用該電可擦可編程只讀存儲器的內部空間。?

(2)先將數據放置于第一讀寫頁并循環(huán)的寫入并讀出，若寫入數據與讀出數據相同，則數據繼續(xù)放置在該第一讀寫頁中，若寫入數據與讀出數據不相同，則數據在該第一讀寫頁中重新寫入。?

(3)若數據在第一讀寫頁中的寫入數據與讀出數據重試三次都不相同，則判斷為該第一讀寫頁損壞，然后將數據放置入第二讀寫頁中繼續(xù)讀寫，直至到最后一個讀寫頁中。?

所述電可擦可編程只讀存儲器中還設置有塊管理結構體，該塊管理結構體用以在上一個讀寫頁損壞后將需要讀寫數據放置于下一個讀寫頁。?

通過上述方法，將讀寫模塊分成為若干讀寫頁，使需要頻繁讀寫的數據先在第一讀寫頁中循環(huán)的讀寫，當第一讀寫頁損壞后再將數據放置入第二讀寫頁中繼續(xù)讀寫，直至最后一個讀寫頁，這樣可優(yōu)化的分配電可擦可編程只讀存儲器的內部空間，當某一讀寫頁損壞并不會影響后續(xù)讀寫頁的使用，故可顯著提升電可擦可編程只讀存儲器的使用壽命。?

以下通過一個實例來具體解釋如何使用該方法：?

假設有20個字節(jié)的數據需要頻繁更新，如果按10萬次的壽命，每天的操作次數500次，如果每次都對同一塊區(qū)域操作，那么若使用背景技術中所述的電可擦可編程只讀存儲器，半年就后這20字節(jié)可能將會無法繼續(xù)擦寫。如果采用以下的管理方法，將會改變這種狀態(tài)。?

假設希望EEPROM可以使用5年，那么可以分一個200字節(jié)存儲塊，并可優(yōu)選的定義如下一個結構體：?

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