[發明專利]顯示裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 201010263823.5
• 申請日: 2010-08-25
• 公開（公告）號: CN102005449A
• 公開（公告）日: 2011-04-06
• 發明（設計）人: 山崎舜平;坂田淳一郎;津吹將志;秋元健吾;細羽幸;坂倉真之;及川欣聰
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L29/786;H01L29/12;H01L29/49;H01L21/77;H01L21/34
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 劉倜

1.一種顯示裝置，包括：

襯底上的像素部，包括：

第一晶體管，包括：

第一柵電極層；

所述第一柵電極層上的柵極絕緣層；

位于所述柵極絕緣層上并部分地重疊于所述第一柵電極層的第一源電極層及第一漏電極層；以及

位于所述柵極絕緣層上并部分地重疊于所述第一源電極層及所述第一漏電極層的第一氧化物半導體層；

所述第一源電極層、所述第一漏電極層及所述第一氧化物半導體層上的第一氧化物絕緣層；

位于所述第一氧化物絕緣層上并與所述第一漏電極層電連接的連接電極層；

所述第一氧化物絕緣層及所述連接電極層上的第二氧化物絕緣層；

所述第二氧化物絕緣層上的保護絕緣層；以及

位于所述保護絕緣層上并與所述連接電極層電連接的像素電極層，

所述襯底上的驅動電路部，包括：

第二晶體管，包括：

第二柵電極層；

所述第二柵電極層上的所述柵極絕緣層；

所述柵極絕緣層上的第二氧化物半導體層；以及

位于所述第二氧化物半導體層上并部分地重疊于所述第二氧化物半導體層的第二源電極層及第二漏電極層；

所述第二源電極層、所述第二漏電極層及所述第二氧化物半導體層上的所述第二氧化物絕緣層；以及

所述第二氧化物絕緣層上的所述保護絕緣層，

其中，所述第一柵電極層、所述柵極絕緣層、所述第一氧化物半導體層、所述第一源電極層、所述第一漏電極層、所述第一氧化物絕緣層、所述第二氧化物絕緣層、所述保護絕緣層及所述像素電極層都具有透光性。

2.根據權利要求1所述的顯示裝置，

其中所述第一晶體管的所述第一柵電極層、所述第一源電極層及所述第一漏電極層使用金屬氧化物形成，

并且所述第二晶體管的所述第二柵電極層、所述第二源電極層及所述第二漏電極層使用金屬形成。

3.根據權利要求1所述的顯示裝置，其中所述第一晶體管的所述第一柵電極層、所述第一源電極層及所述第一漏電極層包括氧化銦、氧化銦氧化錫合金、氧化銦氧化鋅合金或氧化鋅。

4.根據權利要求1所述的顯示裝置，其中在所述像素部的所述第二氧化物絕緣層和所述保護絕緣層之間形成具有透光性的平坦化絕緣層。

5.根據權利要求1所述的顯示裝置，其中在與所述驅動電路部的所述第二氧化物半導體層重疊的所述保護絕緣層上形成導電層。

6.根據權利要求1所述的顯示裝置，其中所述第一氧化物絕緣層及所述第二氧化物絕緣層通過濺射法使用氧化硅、氮氧化硅、氧化鋁或氧氮化鋁形成。

7.根據權利要求1所述的顯示裝置，還包括形成在所述第二氧化物半導體層和所述第二源電極層之間以及所述第二氧化物半導體層和所述第二漏電極層之間的氧化物導電層。

8.根據權利要求1所述的顯示裝置，還包括形成在所述第二氧化物半導體層和所述第二源電極層之間以及所述第二氧化物半導體層和所述第二漏電極層之間的氧化物導電層，其中所述氧化物導電層包括氧化鋅、氧化鋅鋁、氧氮化鋅鋁或氧化鋅鎵。