[發明專利]化學氣相淀積反應腔中漏率的監控方法

有效

• 申請號: 201010263325.0
• 申請日: 2010-08-25
• 公開（公告）號: CN102373445A
• 公開（公告）日: 2012-03-14
• 發明（設計）人: 蔣麒;畢磊
• 申請（專利權）人: 無錫華潤上華半導體有限公司;無錫華潤上華科技有限公司
• 主分類號: C23C16/52
• 分類號: C23C16/52;C23C16/455;H01L21/66
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 何平

1.一種化學氣相淀積反應腔中漏率的監控方法，其特征在于，將測漏步驟加入到化學氣相淀積跑片過程的氫氟酸清洗步驟中。

2.如權利要求1所述的化學氣相淀積反應腔中漏率的監控方法，其特征在于，所述將測漏步驟加入到化學氣相淀積跑片過程的氫氟酸清洗步驟中是將測漏步驟加入到氫氣鈍化步驟之后。

3.如權利要求1或2所述的化學氣相淀積反應腔中漏率的監控方法，其特征在于，所述測漏步驟包括如下步驟：

A、打開分子泵閥門，抽真空；

B、關閉分子泵閥門，使化學氣相淀積反應腔保壓；

C、檢測化學氣相淀積反應腔的壓力，計算漏率，若漏率大于或等于報警閾值，設備報警；如果小于報警閾值，進行后續步驟。

4.如權利要求3所述的化學氣相淀積反應腔中漏率的監控方法，其特征在于，進行所述步驟A之前還包括停止流氣、關閉高頻電磁場的步驟。

5.如權利要求3所述的化學氣相淀積反應腔中漏率的監控方法，其特征在于，所述步驟A中抽真空時間為15秒。

6.如權利要求3所述的化學氣相淀積反應腔中漏率的監控方法，其特征在于，所述步驟A中抽真空使化學氣相淀積反應腔的壓力低于1毫托。

7.如權利要求3所述的化學氣相淀積反應腔中漏率的監控方法，其特征在于，所述步驟B中使化學氣相淀積反應腔保壓的時間為15秒。

8.如權利要求3所述的化學氣相淀積反應腔中漏率的監控方法，其特征在于，所述步驟C中漏率的報警閾值為8毫托/分。

9.如權利要求3所述的化學氣相淀積反應腔中漏率的監控方法，其特征在于，所述后續步驟為開啟等離子體。