[發明專利]清洗晶片的方法無效
| 申請號： | 201010263256.3 | 申請日： | 2010-08-19 |
| 公開（公告）號： | CN102373480A | 公開（公告）日： | 2012-03-14 |
| 發明（設計）人： | 呂增富 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號： | C23G5/036 | 分類號： | C23G5/036 |
| 代理公司： | 北京市磐華律師事務所 11336 | 代理人： | 董巍;謝栒 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 清洗 晶片 方法 | ||
1.一種清洗晶片的方法，所述晶片上具有鋁墊，其中，所述方法包括以下清洗步驟：使用四甲基氫氧化銨水溶液對所述晶片進行清洗；所述四甲基氫氧化銨水溶液中的四甲基氫氧化銨的含量為1.0重量％至9.8重量％，所述清洗步驟的持續時間為15秒至40秒，所述清洗步驟在15℃至30℃的溫度下進行。
2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述四甲基氫氧化銨水溶液中的四甲基氫氧化銨的含量為4.0重量％至6.0重量％。
3.根據權利要求1或2所述的方法，其中，所述清洗步驟在20℃至25℃的溫度下進行。
4.根據權利要求3所述的方法，其中，所述方法還包括：在實施所述清洗步驟之前和/或之后，對所述晶片進行狀態穩定處理步驟，所述狀態穩定處理步驟包括：將所述晶片移入晶片穩定處理裝置內靜置10秒至30秒，所述晶片穩定處理裝置的溫度為20℃至25℃。
5.根據權利要求4所述的方法，所述晶片穩定處理裝置內的壓力為常壓。
6.根據權利要求1或2所述的方法，其中，在實施所述清洗步驟之后，所述方法還包括以下水洗步驟：使用去離子水對所述晶片進行水洗。
7.根據權利要求6所述的方法，其中，所述方法還包括在所述水洗步驟之后實施的狀態穩定處理步驟，所述狀態穩定處理步驟包括：將所述晶片移入晶片穩定處理裝置內靜置10秒至30秒，所述晶片穩定處理裝置內的溫度為20℃至25℃。
8.根據權利要求1所述的方法，其中，所述清洗在常壓中進行。
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