[發明專利]在用于接合管芯的中介層中的具有不同尺寸的TSV無效
| 申請號： | 201010262564.4 | 申請日： | 2010-08-24 |
| 公開（公告）號： | CN102222651A | 公開（公告）日： | 2011-10-19 |
| 發明（設計）人： | 蔡柏豪;林俊成;余振華 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/48 | 分類號： | H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京市德恒律師事務所 11306 | 代理人： | 陸鑫;熊須遠 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 接合 管芯 中介 中的 具有 不同 尺寸 tsv | ||
1.一種器件，包括：
中介層，包括具有頂面和底面的襯底；
多個襯底通孔(TSV)，穿過所述襯底，其中，所述多個TSV包括具有第一長度和第一水平尺寸的第一TSV和具有不同于所述第一長度的第二長度以及不同于所述第一水平尺寸的第二水平尺寸的第二TSV；以及
第一互連結構，被形成為置于所述襯底的所述頂面上并且電連接至所述多個TSV。
2.根據權利要求1所述的器件，其中，所述第一水平尺寸大于所述第二TSV的所述第二水平尺寸，或者所述第一水平尺寸與所述第二水平尺寸的比大于約1.5，或者所述第一長度大于所述第二長度。
3.根據權利要求1所述的器件，進一步包括：
第一管芯，置于所述第一互連結構上；以及
第二管芯，置于所述襯底的所述底面下并且電連接至所述第二TSV。
4.根據權利要求3所述的器件，其中，所述第二管芯被接合至所述第二TSV，或者
進一步包括：置于所述襯底的所述底面下的模塑料，其中，所述第一TSV延伸以穿過所述模塑料，其中，所述第二管芯形成在所述模塑料中，所述器件進一步包括：金屬凸塊，在所述模塑料的底面上并且電連接至所述第一TSV；或者第二互連結構，在所述模塑料下并且電連接至所述第一TSV，或者
所述襯底包括從所述襯底的所述底面延伸到所述襯底的凹槽，并且其中，所述第二管芯的至少一部分位于所述凹槽中。
5.根據權利要求1所述的器件，進一步包括：金屬凸塊，置于所述第二互連結構下并且電連接至所述第一TSV；或者
其中，所述襯底為基本上不具有集成電路器件的硅襯底。
6.一種器件，包括：
硅襯底，基本不具有集成電路器件；
第一襯底通孔(TSV)，具有從所述硅襯底的頂面延伸到所述硅襯底的第一底面的第一長度；
第二TSV，具有從所述硅襯底的所述頂面延伸到所述硅襯底的第二底面的第二長度，其中所述第一長度大于所述第二長度；
第一管芯，置于所述硅襯底的所述頂面上；以及
第二管芯，置于所述硅襯底的所述第二底面下并且電連接至所述第二TSV。
7.根據權利要求6所述的器件，其中，所述第一TSV具有大于所述第二TSV的第二水平尺寸的第一水平尺寸；或者
所述硅襯底包括從所述硅襯底的所述第一底面延伸至所述第二底面的凹槽，并且其中，所述第二管芯的至少一部分位于所述凹槽中。
8.一種器件，包括：
硅襯底，基本不具有集成電路器件；
模塑料，置于所述硅襯底下；
第一襯底通孔(TSV)，從所述硅襯底的頂面延伸到所述模塑料的底面；
第二TSV，從所述襯底的所述頂面延伸到所述硅襯底的底面；
第一管芯，置于所述硅襯底的所述頂面上；以及
第二管芯，在所述模塑料中并且電連接至所述第二TSV。
9.根據權利要求8所述的器件，其中，所述第一TSV的第一水平尺寸大于所述第二TSV的第二水平尺寸。
10.根據權利要求8所述的器件，進一步包括：焊接凸塊，置于所述模塑料的所述底面下并且電連接至所述第一TSV；或者
進一步包括：互連結構，置于所述模塑料的所述底面下并且電連接至所述第一TSV。
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