[發明專利]晶體控溫裝置及其使用方法

無效

• 申請號: 201010262456.7
• 申請日: 2010-08-25
• 公開（公告）號: CN102377094A
• 公開（公告）日: 2012-03-14
• 發明（設計）人: 樊仲維;麻云鳳;牛崗
• 申請（專利權）人: 北京國科世紀激光技術有限公司;中國科學院光電研究院
• 主分類號: H01S3/042
• 分類號: H01S3/042
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種晶體控溫裝置，其特征在于，包括熱沉、晶體固定裝置和基座，所述晶體固定裝置通過第一固定裝置固定在熱沉的上部，所述晶體固定裝置和熱沉共同形成晶體容納腔，所述熱沉的下部通過第二固定裝置固定在基座上，所述基座中設置有半導體制冷器容納腔。

2.根據權利要求1所述的晶體控溫裝置，其特征在于，在熱沉的上部還設置有熱敏電阻容納腔，所述熱敏電阻容納腔靠近晶體容納腔設置。

3.根據權利要求1所述的晶體控溫裝置，其特征在于，所述第一固定裝置包括第一螺釘、貫通晶體固定裝置的第一通孔、設置在熱沉上部的第一螺孔，所述第一螺釘穿過第一通孔與第一螺孔螺接。

4.根據權利要求1所述的晶體控溫裝置，其特征在于，所述第二固定裝置包括第二螺釘、貫通熱沉下部的第二通孔、設置在基座上的第二螺孔，所述第二螺釘穿過第二通孔與第二螺孔螺接。

5.根據權利要求1所述的晶體控溫裝置，其特征在于，所述半導體制冷器容納腔的深度小于半導體制冷器的高度，所述基座的下部還設置有兩條與半導體制冷器容納腔連通的溝槽，用于放置半導體制冷器的電源線。

6.根據權利要求5所述的晶體控溫裝置，其特征在于，所述溝槽的寬度是2mm。

7.根據權利要求3所述的晶體控溫裝置，其特征在于，所述第一螺釘采用導熱材料制作。

8.根據權利要求4所述的晶體控溫裝置，其特征在于，所述第二螺釘采用隔熱材料或者絕熱材料制作。

9.根據權利要求1所述的晶體控溫裝置，其特征在于，所述基座上還設置有晶體位置調節裝置。

10.根據權利要求9所述的晶體控溫裝置，其特征在于，所述晶體位置調節裝置包括四個第三螺孔和兩個第三通孔，所述四個第三螺孔均勻分布在基座的四個角落處，所述兩個第三通孔分布在半導體制冷器容納腔的兩側。

11.根據權利要求10所述的晶體控溫裝置，其特征在于，所述第三螺孔的直徑是2mm-4mm，所述第三通孔的直徑是4mm-6mm。

12.根據權利要求1所述的晶體控溫裝置，其特征在于，所述熱沉和基座的材料是紫銅、銀或白寶石。

13.根據權利要求4所述的晶體控溫裝置，其特征在于，所述第二通孔為長形通孔。

14.根據權利要求13所述的晶體控溫裝置，其特征在于，所述長形通孔呈圓角矩形，寬度為5mm，長度為20mm，所述第二螺孔的直徑為4mm。

15.一種權利要求2所述的晶體控溫裝置的使用方法，其特征在于，包括：

將晶體用銦箔包裹，通過晶體固定裝置將晶體固定在晶體容納腔中；

將涂滿導熱膠的熱敏電阻放入熱敏電阻容納腔中；

將半導體制冷器放置在半導體制冷器容納腔中；

將半導體制冷器與基座、熱沉的各接觸面涂滿導熱硅脂；

將基座與激光器的機殼底板接觸，并將接觸面中間涂滿導熱硅脂。