[發(fā)明專利]氮化物半導(dǎo)體晶片、氮化物半導(dǎo)體元件及其制造方法以及半導(dǎo)體裝置無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201010261391.4 | 申請(qǐng)日： | 2010-08-23 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN101997268A | 公開（公告）日： | 2011-03-30 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 太田征孝;神川剛 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 夏普株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào)： | H01S5/22 | 分類號(hào)： | H01S5/22;H01S5/343 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人： | 葛青 |
| 地址： | 日本*** | 國(guó)省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 氮化物 半導(dǎo)體 晶片 元件 及其 制造 方法 以及 裝置 | ||
1.一種氮化物半導(dǎo)體元件，其特征在于，具備：具有生長(zhǎng)主面的氮化物半導(dǎo)體基板、
在所述氮化物半導(dǎo)體基板的生長(zhǎng)主面上形成且具有包含阱層和勢(shì)壘層的量子阱結(jié)構(gòu)的有源層，
所述生長(zhǎng)主面由相對(duì)m面在a軸方向具有傾斜角的面構(gòu)成，
所述勢(shì)壘層由包含Al的氮化物半導(dǎo)體構(gòu)成。
2.如權(quán)利要求1所述的氮化物半導(dǎo)體元件，其特征在于，所述勢(shì)壘層由包含Al和Ga和N的氮化物半導(dǎo)體構(gòu)成。
3.如權(quán)利要求1或2所述的氮化物半導(dǎo)體元件，其特征在于，所述勢(shì)壘層由AlInGaN構(gòu)成。
4.如權(quán)利要求1或2所述的氮化物半導(dǎo)體元件，其特征在于，所述勢(shì)壘層由AlGaN構(gòu)成。
5.如權(quán)利要求1或2所述的氮化物半導(dǎo)體元件，其特征在于，
所述有源層包含多個(gè)所述勢(shì)壘層，
所述多個(gè)勢(shì)壘層的至少一部分由AlInGaN構(gòu)成。
6.如權(quán)利要求1或2所述的氮化物半導(dǎo)體元件，其特征在于，所述a軸方向傾斜角的絕對(duì)值比0.1度大。
7.如權(quán)利要求1或2所述的氮化物半導(dǎo)體元件，其特征在于，所述阱層由包含In的氮化物半導(dǎo)體構(gòu)成，且In的組分比是0.15以上0.45以下。
8.如權(quán)利要求1或2所述的氮化物半導(dǎo)體元件，其特征在于，所述阱層由InGaN構(gòu)成。
9.如權(quán)利要求1或2所述的氮化物半導(dǎo)體元件，其特征在于，所述氮化物半導(dǎo)體基板由GaN構(gòu)成。
10.如權(quán)利要求1或2所述的氮化物半導(dǎo)體元件，其特征在于，在所述氮化物半導(dǎo)體基板的生長(zhǎng)主面上與所述生長(zhǎng)主面相接地形成有包含Al的氮化物半導(dǎo)體層。
11.如權(quán)利要求1或2所述的氮化物半導(dǎo)體元件，其特征在于，在所述氮化物半導(dǎo)體基板的生長(zhǎng)主面上形成有從上下夾住所述有源層的一對(duì)引導(dǎo)層，
所述引導(dǎo)層由包含In的氮化物半導(dǎo)體構(gòu)成。
12.如權(quán)利要求1或2所述的氮化物半導(dǎo)體元件，其特征在于，所述氮化物半導(dǎo)體基板的生長(zhǎng)主面不僅在a軸方向具有傾斜角，在c軸方向也具有傾斜角，
所述a軸方向的傾斜角比所述c軸方向的傾斜角大。
13.一種氮化物半導(dǎo)體元件，其特征在于，具備：
以m面作為生長(zhǎng)主面的氮化物半導(dǎo)體基板、
形成在所述氮化物半導(dǎo)體基板的生長(zhǎng)主面上且包含有源層的氮化物半導(dǎo)體層，
所述氮化物半導(dǎo)體基板包含：從所述生長(zhǎng)主面向厚度方向凹入的凹入?yún)^(qū)域和沒(méi)凹入的區(qū)域即非凹入?yún)^(qū)域，
所述有源層具有由包含Al和In的氮化物半導(dǎo)體構(gòu)成的勢(shì)壘層。
14.如權(quán)利要求13所述的氮化物半導(dǎo)體元件，其特征在于，所述勢(shì)壘層由AlInGaN構(gòu)成。
15.一種氮化物半導(dǎo)體元件，其特征在于，具備：
以相對(duì)m面在a軸方向具有傾斜角的面作為生長(zhǎng)主面的氮化物半導(dǎo)體基板、
形成在所述氮化物半導(dǎo)體基板的生長(zhǎng)主面上且包含有源層的氮化物半導(dǎo)體層，
所述氮化物半導(dǎo)體基板包含：從所述生長(zhǎng)主面向厚度方向凹入的凹入?yún)^(qū)域和沒(méi)凹入的區(qū)域即非凹入?yún)^(qū)域，
所述有源層具有由包含Al和In的氮化物半導(dǎo)體構(gòu)成的勢(shì)壘層。
16.如權(quán)利要求15所述的氮化物半導(dǎo)體元件，其特征在于，所述氮化物半導(dǎo)體基板的所述a軸方向傾斜角的絕對(duì)值比0.1度大。
17.如權(quán)利要求15或16所述的氮化物半導(dǎo)體元件，其特征在于，所述氮化物半導(dǎo)體基板的生長(zhǎng)主面不僅在a軸方向具有傾斜角，在c軸方向也具有傾斜角，
所述a軸方向的傾斜角比所述c軸方向的傾斜角大。
18.如權(quán)利要求13或15所述的氮化物半導(dǎo)體元件，其特征在于，所述氮化物半導(dǎo)體層包含層厚傾斜區(qū)域，該層厚傾斜區(qū)域形成在所述非凹入?yún)^(qū)域上且隨著靠近所述凹入?yún)^(qū)域其層厚傾斜地減少。
19.如權(quán)利要求13或15所述的氮化物半導(dǎo)體元件，其特征在于，所述凹入?yún)^(qū)域被形成為俯視看向c軸方向延伸。
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