[發(fā)明專利]經(jīng)全膜鍍生產(chǎn)的鑲嵌寫入極

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010260525.0
• 申請日: 2010-08-20
• 公開（公告）號: CN101996641A
• 公開（公告）日: 2011-03-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: R·周;M·蔣;X·項;J·王;G·羅;Y·李
• 申請（專利權(quán)）人: 西部數(shù)據(jù)(弗里蒙特)公司
• 主分類號: G11B5/127
• 分類號: G11B5/127
• 代理公司: 北京紀凱知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11245
• 代理人: 趙蓉民

1.一種形成寫入極的方法，包含如下步驟：

在晶片的襯底層上形成停止層，所述停止層具有位于所述襯底層中的鑲嵌溝槽上方的開口；

在所述停止層上形成緩沖層，所述緩沖層具有位于所述停止層的所述開口上方的開口；

在所述晶片上鍍磁性材料層；

在位于所述鑲嵌溝槽上方的磁性材料區(qū)域上布置第一犧牲材料；

在所述晶片上進行銑削或蝕刻操作以去除不被所述第一犧牲材料覆蓋的磁性材料以及去除所述第一犧牲材料；

在所述晶片上布置第二犧牲材料；以及

在所述晶片上進行拋光操作以去除位于所述鑲嵌溝槽上方的所述磁性材料區(qū)域，去除所述第二犧牲材料，以及去除所述緩沖層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括在所述晶片上鍍所述磁性材料之前在所述晶片上布置種子層的步驟。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中所述進行銑削或蝕刻操作的步驟還去除所述種子層的不被所述第一犧牲材料覆蓋的一部分。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述進行銑削或蝕刻操作的步驟包括進行離子束蝕刻。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中在露出所述停止層之前停止所述銑削或蝕刻操作。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中進行所述拋光操作的步驟包括進行化學機械拋光。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中所述磁性材料和所述停止層之間的化學機械拋光選擇性大于300∶1。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述停止層包括類金剛石碳。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述緩沖層包括AlOx，其中x是正整數(shù)。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述磁性材料包括CoNiFe、CoFe或NiFe。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一犧牲材料包括光刻膠。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第二犧牲材料包括氧化鋁。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括通過以下步驟在所述襯底層中形成所述鑲嵌溝槽的步驟：

在所述襯底層上形成圖案化掩膜層；以及

蝕刻所述襯底層的被所述圖案化掩膜層露出的區(qū)域以形成所述鑲嵌溝槽。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中在所述襯底層中形成所述鑲嵌溝槽的步驟還包括：

在所述晶片上布置氧化鋁層以調(diào)整所述鑲嵌溝槽的寬度。

15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述襯底層包括氧化鋁。

16.一種磁性記錄器件，包括根據(jù)權(quán)利要求1的方法形成的所述寫入極。

17.一種形成多個寫入極的方法，包含如下步驟：

在晶片的襯底層上形成停止層，所述停止層具有位于所述襯底層中的相應(yīng)的多個鑲嵌溝槽上方的第一多個開口；

在所述停止層上形成緩沖層，所述緩沖層具有位于所述停止層的所述第一多個開口的相應(yīng)各個上方的第二多個開口；

在所述晶片上鍍磁性材料層；

在位于所述多個鑲嵌溝槽的相應(yīng)各個上方的多個磁性材料區(qū)域上布置第一犧牲材料；

在所述晶片上進行銑削或蝕刻操作以去除不被所述第一犧牲材料覆蓋的磁性材料以及去除所述第一犧牲材料；

在所述晶片上布置第二犧牲材料；以及

在所述晶片上進行拋光操作以去除位于所述多個鑲嵌溝槽的相應(yīng)各個上方的所述多個磁性材料區(qū)域，去除所述第二犧牲材料，以及去除所述緩沖層。

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，還包括在所述晶片上鍍所述磁性材料之前在所述晶片上布置種子層的步驟。

19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中進行所述銑削或蝕刻操作的步驟還去除所述種子層的不被所述第一犧牲材料覆蓋的部分。