[發明專利]光伏用單晶硅的摻雜方法

無效

• 申請號: 201010259895.2
• 申請日: 2010-08-18
• 公開（公告）號: CN101906659A
• 公開（公告）日: 2010-12-08
• 發明（設計）人: 俞振明;楊樂;何勤忠
• 申請（專利權）人: 高佳太陽能股份有限公司
• 主分類號: C30B15/04
• 分類號: C30B15/04
• 代理公司: 無錫市大為專利商標事務所 32104
• 代理人: 曹祖良

1.一種光伏用單晶硅的摻雜方法，其特征是步驟如下：

首先將多晶硅原料放入單晶爐，在主室中保護氣氛內熔化，籽晶從副室插入液硅吊取小樣，通過隔離主、副室將小樣取出，然后用四探針測試小樣的電阻率ρ_小，

小樣的硼濃度N_小、母合金的硼濃度Nx，目標電阻率單晶硅的硼濃度Nm均通過公式1計算

N＝(1.33E+16/ρ)+1.082E+17/ρ×[1+(54.56×ρ)^1.105)]??公式1

即由電阻率ρ得到硼濃度N；

需要投入的母合金質量Gx通過公式2計算

Nm×G＝N×G+(Gx÷1000÷2.33)×Nx×K????公式2

其中，G是多晶硅原料的總投料量，分凝系數K為常數0.8；

將公式1和公式2利用Excel軟件自動計算，輸入量包括：目標電阻率，單位Ω.cm；總投料量G，單位kg；母合金電阻率，單位Ω.cm；小樣的電阻率ρ_小，單位Ω.cm；輸出量為母合金質量Gx，單位g；由Excel軟件生成小樣電阻率ρ_小和母合金質量Gx的對應值的表格，工人根據測出的小樣電阻率ρ_小查表得到需要投入的母合金質量Gx。