[發明專利]一種用于微納材料的尺寸縮減方法及電極制作方法

無效

• 申請號: 201010259775.2
• 申請日: 2010-08-20
• 公開（公告）號: CN101966977A
• 公開（公告）日: 2011-02-09
• 發明（設計）人: 李無瑕;顧長志;崔阿娟
• 申請（專利權）人: 中國科學院物理研究所
• 主分類號: B82B3/00
• 分類號: B82B3/00
• 代理公司: 北京泛華偉業知識產權代理有限公司 11280
• 代理人: 王勇

1.一種用于微納材料的尺寸縮減方法，其特征在于，采用FIB低束流掃描刻蝕方法實現尺寸縮減。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述FIB低束流掃描刻蝕方法包括如下步驟：

1)將具有微納材料的襯底固定在樣品臺上；

2)獲取微納材料的圖像，并根據該圖像調整微納材料待減薄部分與離子束入射方向之間的夾角在0到90度之間；

3)以步驟2)所確定的微納材料待減薄部分與離子束的位置，成像所述微納材料，根據該成像結果確定縮減區域；

4)以步驟3)所確定的縮減區域，采用離子束束流小于20pA的離子束刻蝕微納材料。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述步驟2)的夾角在40到90度之間。

4.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述步驟3)還包括通過在所述成像結果中形成掃描圖形來確定縮減區域。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述掃描圖形的尺寸大于微納材料的尺寸50％～100％。

6.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述成像結果包含所述微納材料的待縮減部分，所述掃描圖形被設置為對稱分布在該待縮減部分的兩側。

7.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，還包括重復步驟2)至4)，以實現材料的分段縮減。

8.根據權利要求1至7中任一項所述的方法，其特征在于，所述尺寸縮減方法利用雙束掃描電子顯微鏡/聚焦離子束系統或單束聚焦離子束系統實現。

9.一種電極制作方法，包括以下步驟：

1)采用權利要求1至7之一所述的縮減方法對微納材料進行縮減；

2)制作與該縮減后的微納材料相連的電極接觸塊及連線。

10.根據權利要求9的方法，所述步驟2)包括：

步驟21)：使縮減后的微納材料與襯底分離，使之著陸于襯底平面；

步驟22)：在襯底平面內制備與微納材料連接的電極接觸塊及連線。