[發明專利]單晶棒破方方法

有效

• 申請號: 201010259306.0
• 申請日: 2010-08-19
• 公開（公告）號: CN101927533A
• 公開（公告）日: 2010-12-29
• 發明（設計）人: 張曉方;高文寬;王宏剛;任軍海
• 申請（專利權）人: 英利能源(中國)有限公司
• 主分類號: B28D5/04
• 分類號: B28D5/04
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 逯長明

技術領域

本發明涉及太陽能電池板加工工藝領域，更具體地說，涉及單晶棒破方方法。

背景技術

傳統的單晶棒破方工藝，破方機通常使用攜帶砂漿鋼線進行破方切割，由于破方切割的主體是砂漿(為懸浮液和碳化硅的混合物)中的碳化硅，所以必須加入碳化硅才能保證破方的質量，但是碳化硅的制取過程中耗能高污染高，另外，傳統破方工藝考慮到傳統的鋼線切割能力，工作臺速度通常控制在600-800um/min，回線率控制在90-95％左右，所以切割效率比較低。為提高切割速度，降低碳化硅制取的高耗能高污染，所以急需開發一整套新的破方工藝。

發明內容

有鑒于此，本發明提供一種破方方法，以實現提高單晶棒在破方工藝中的生產效率降低生產成本的目的。

為實現上述目的，本發明提供如下技術方案：

一種單晶棒破方方法，包括：

步驟1：向漿料缸中打入冷卻液，將單晶棒安裝在工作臺的底座上；

步驟2：將金剛石鋼線安裝于所述工作臺上的放線軸上以低張力值進行走線形成線網，設置好高線位及低線位后以高張力值進行走線；

步驟3：將固定好的單晶棒的底座裝入機床，并調整所述底座的位置使四周邊料切割厚度相等，下降工作臺，底部線網差1mm接觸硅錠表面最高點，并設置為零點；

步驟4：關閉所有滑動門，設置切割參數開始切割，所述切割參數包括：工作臺速度、線速度、流量、張力和回線率。

優選地，在上述單晶棒破方方法中，所述將單晶棒安裝在工作臺的底座上具體為：用懸臂吊將選擇好的單晶棒置于粘接區，夾具夾緊單晶棒放入粘接裝置，用環氧樹脂膠將單晶棒和所述底座粘牢。

優選地，在上述單晶棒破方方法中，所述單晶棒的數量為一根。

優選地，在上述單晶棒破方方法中，所述冷卻液為純水。

優選地，在上述單晶棒破方方法中，所述冷卻液為二乙醇胺與純水的混合液。

優選地，在上述單晶棒破方方法中，所述二乙醇胺質量分數為3-5％。

優選地，在上述單晶棒破方方法中，所述低張力值為10-20N。

優選地，在上述單晶棒破方方法中，所述高張力值為70-90N。

優選地，在上述單晶棒破方方法中，所述切割參數大小分別為：工作臺速度2300-2700um/min，線速度13-15m/s，流量120-140kg/min，張力70-90N，回線率99.2-99.6％。

優選地，在上述單晶棒破方方法中，所述步驟4之后還包括：

步驟5：待切割完畢后剪斷收放線軸上兩側鋼線，抽出內夾線，升起工作臺，將電磁平臺移出切割室，用套筒將每根單晶棒取出清洗。

從上述技術方案可以看出，本發明中的實施例通過采用金剛石鋼線進行切割，由于金剛石鋼線上的金剛石硬度高，所以切割能力比攜帶砂漿鋼線的切割能力要強，在相同的切割速度以及回線率中切割單晶棒時，采用本發明中的金剛石鋼線的切割量要大，因此可以提高破方工藝的生產效率。由于本發明未采用砂漿，且切割用線少，所以單晶破方工藝中制造成本相應降低了。

附圖說明

為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發明實施例提供的單晶棒破方方法的流程圖；

圖2為本發明實施例提供的單晶棒破方方法的另一流程圖。

具體實施方式

相關名詞解釋：

金剛石鋼線：在普通鋼線上電鍍一層鎳，然后在鎳上電鍍上金剛石顆粒，屬于固著型線切割耗材，與以往游離型比較，切割能力大大增強。

單晶破方：把一整根圓柱體單晶棒的邊皮去掉，得到一根準方棒，每次單晶破方根數一般為16根。

下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發明保護的范圍。

本發明提供一種破方方法，以實現提高單晶棒在破方工藝中的生產效率降低生產成本的目的。

請參照附圖1，本發明提供如下技術方案：

一種單晶棒破方方法，包括：

步驟S101：向漿料缸中打入冷卻液，將單晶棒安裝在工作臺的底座上；