[發明專利]一種單晶硅生長爐加熱器節能支撐腳結構無效
| 申請號： | 201010259098.4 | 申請日： | 2010-08-20 |
| 公開（公告）號： | CN101928981A | 公開（公告）日： | 2010-12-29 |
| 發明（設計）人： | 施承啟;李海波;胡如權;張永超 | 申請（專利權）人： | 上海卡姆丹克太陽能科技有限公司;卡姆丹克太陽能(江蘇)有限公司 |
| 主分類號： | C30B15/14 | 分類號： | C30B15/14 |
| 代理公司： | 上海伯瑞杰知識產權代理有限公司 31227 | 代理人： | 季申清 |
| 地址： | 201314 上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 單晶硅 生長 加熱器 節能 支撐 結構 | ||
【權利要求書】：
1.一種單晶硅生長爐加熱器節能支撐腳結構，其特征在于：所述支撐腳為上、下兩段圓柱段組成，上段為石墨段(9a)，且上表面開設軸向的定位銷孔，下段為絕熱段(9b)，且下表面軸向開設金屬電極孔。
2.根據權利要求1所述單晶硅生長爐加熱器節能支撐腳結構，其特征在于所述上、下兩段之間以臺階結構連接。
3.根據權利要求1或2所述單晶硅生長爐加熱器節能支撐腳結構，其特征在于所述絕熱段的垂直中心剖面呈U字狀，外側近似L的為硬質支撐裹圈(9b1)，中央為一圓柱形固化氈墊圈(9b2)。
4.根據權利要求1所述單晶硅生長爐加熱器節能支撐腳結構，其特征在于所述絕熱段(9b)采用氧化鋯、氧化鋁、氮化鋁、石英。
5.根據權利要求1所述單晶硅生長爐加熱器節能支撐腳結構，其特征在于所述絕熱段(9b)采用熱導率＜10W/mk的梯度密度碳碳復合材料。
6.根據權利要求1或2所述單晶硅生長爐加熱器節能支撐腳結構，其特征在于所述石墨段(9a)和絕熱段(9b)兩段的長度比為0.3-0.7之間。
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