[發(fā)明專利]雙電層電容器及其制造方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201010259097.X | 申請(qǐng)日: | 2010-08-19 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102129917A | 公開(公告)日: | 2011-07-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李相均;樸逸奎;韓承憲;盧貞恩 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 三星電機(jī)株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01G9/155 | 分類號(hào): | H01G9/155;H01G9/058 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286 | 代理人: | 韓明星;李娜娜 |
| 地址: | 韓國(guó)京畿*** | 國(guó)省代碼: | 韓國(guó);KR |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 雙電層 電容器 及其 制造 方法 | ||
1.一種芯片型雙電層電容器單體,所述芯片型雙電層電容器單體包括:
第一電極和第二電極,彼此面對(duì)并具有施加到第一電極和第二電極的相反的極性的電;
至少一個(gè)感應(yīng)電極層,設(shè)置在第一電極和第二電極之間,并且電不施加到感應(yīng)電極層;
第一分隔件和第二分隔件,第一分隔件設(shè)置在第一電極和感應(yīng)電極層之間,第二分隔件設(shè)置在第二電極和感應(yīng)電極層之間。
2.如權(quán)利要求1所述的芯片型雙電層電容器單體,其中,感應(yīng)電極層包括集流體和形成在集流體的兩個(gè)表面上的電極材料。
3.一種雙電層電容器,所述雙電層電容器包括:
外殼,具有設(shè)置在外殼中的容納空間并由絕緣樹脂形成;
第一外部端子和第二外部端子,掩埋在外殼中,第一外部端子和第二外部端子均具有暴露到容納空間的第一表面和暴露到外殼外部的第二表面;
芯片型雙電層電容器單體,設(shè)置在容納空間中并電連接到第一表面,
其中,芯片型雙電層電容器單體包括:
第一電極和第二電極,彼此面對(duì)并具有施加到第一電極和第二電極的相反的極性的電;
至少一個(gè)感應(yīng)電極層,設(shè)置在第一電極和第二電極之間,并且電不施加到感應(yīng)電極層;
第一分隔件和第二分隔件,第一分隔件設(shè)置在第一電極和感應(yīng)電極層之間第二分隔件設(shè)置在第二電極和感應(yīng)電極層之間。
4.如權(quán)利要求3所述的雙電層電容器,其中,感應(yīng)電極層包括集流體和形成在集流體的兩個(gè)表面上的電極材料。
5.如權(quán)利要求3所述的雙電層電容器,芯片型雙電層電容器單體包括堆疊的單元單體,每個(gè)單元單體包括:第一電極和第二電極,彼此面對(duì)并具有施加到第一電極和第二電極的相反的極性的電;至少一個(gè)感應(yīng)電極層,設(shè)置在第一電極和第二電極之間,并且電不施加到感應(yīng)電極層;第一分隔件和第二分隔件,第一分隔件設(shè)置在第一電極和感應(yīng)電極層之間,第二分隔件設(shè)置在第二電極和感應(yīng)電極層之間。
6.如權(quán)利要求3所述的雙電層電容器,其中,外殼被形成為使得絕緣樹脂與第一外部端子和第二外部端子成為一體。
7.如權(quán)利要求3所述的雙電層電容器,其中,第一外部端子和第二外部端子形成在外殼的同一表面上。
8.如權(quán)利要求3所述的雙電層電容器,其中,外殼包括:
下殼,具有頂表面敞開的容納空間和掩埋在下殼中的第一外部端子和第二外部端子;
上蓋,安裝在下殼上,以覆蓋容納空間。
9.一種制造雙電層電容器的方法,該方法包括以下步驟:
通過使絕緣樹脂與第一外部端子和第二外部端子一體化來(lái)形成下殼,所述下殼包括頂表面敞開的容納空間,第一外部端子和第二外部端子均具有暴露到容納空間的第一表面和暴露到下殼外部的第二表面;
準(zhǔn)備芯片型雙電層電容器單體,所述雙電層電容器單體包括:第一電極和第二電極,彼此面對(duì)并具有施加到第一電極和第二電極的相反的極性的電;至少一個(gè)感應(yīng)電極層,設(shè)置在第一電極和第二電極之間,并且電不施加到感應(yīng)電極層;第一分隔件和第二分隔件,第一分隔件設(shè)置在第一電極和感應(yīng)電極層之間,第二分隔件設(shè)置在第二電極和感應(yīng)電極層之間;
將所述芯片型雙電層電容器單體安裝在容納空間中,使芯片型雙電層電容器單體電連接到暴露到容納空間的第一表面;
將上蓋安裝在下殼上以覆蓋容納空間。
10.如權(quán)利要求9所述的方法,其中,感應(yīng)電極層包括集流體和形成在集流體的兩個(gè)表面上的電極材料。
11.如權(quán)利要求9所述的方法,其中,芯片型雙電層電容器單體包括堆疊的單元單體,每個(gè)單元單體包括:第一電極和第二電極,彼此面對(duì)并具有施加到第一電極和第二電極的相反的極性的電;至少一個(gè)感應(yīng)電極層,設(shè)置在第一電極和第二電極之間,并且電不施加到感應(yīng)電極層;第一分隔件和第二分隔件,第一分隔件設(shè)置在第一電極和感應(yīng)電極層之間,第二分隔件設(shè)置在第二電極和感應(yīng)電極層之間。
12.如權(quán)利要求9所述的方法,其中,通過嵌件注射成型來(lái)執(zhí)行形成下殼的步驟。
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