[發明專利]銀白色膜結構及其鍍膜方法

無效

• 申請號: 201010258698.9
• 申請日: 2010-08-20
• 公開（公告）號: CN102373411A
• 公開（公告）日: 2012-03-14
• 發明（設計）人: 洪新欽
• 申請（專利權）人: 鴻富錦精密工業（深圳）有限公司;鴻海精密工業股份有限公司
• 主分類號: C23C14/06
• 分類號: C23C14/06;C23C14/35
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種銀白色膜結構，包括基材、位于該基材表面的結合層以及位于該結合層表面的顏色層，該結合層為氮化鉻膜，該顏色層為氧化鋁與氧化鈦的混合物，其中，該顏色層中鋁元素的質量百分比高于鈦元素的質量百分比。

2.如權利要求1所述的銀白色膜結構，其特征在于，該氮化鉻膜的化學式表示為CrNx，其中，x小于等于1且大于0。

3.如權利要求1所述的銀白色膜結構，其特征在于，該基材的材質為金屬，該金屬基材沉積形成有結合層的表面為霧面、光面或者拉絲面。

4.如權利要求3所述的銀白色膜結構，其特征在于，該金屬為不銹鋼。

5.如權利要求1所述的銀白色膜結構，其特征在于，鋁元素與鈦元素的質量百分大約為30比9。

6.一種銀白色膜結構的鍍膜方法，包括步驟：

提供基材；

利用反應式磁控濺鍍方法在該基材表面沉積形成氮化鉻膜作為結合層；

利用反應式磁控濺鍍方法在該結合層表面沉積形成由氧化鋁與氧化鈦混合而成的顏色層，其中，該顏色層中鋁元素的質量百分比高于鈦元素的質量百分比。

7.如權利要求6所述的銀白色膜結構的鍍膜方法，其特征在于，該基材的材質為不銹鋼，在該基材表面沉積形成氮化鉻膜作為結合層前，進一步包括對該不銹鋼基材的表面進行霧面處理、光面處理或者拉絲面處理。

8.如權利要求6所述的銀白色膜結構的鍍膜方法，其特征在于，該反應式磁控濺射方法是利用反應式磁控濺鍍裝置進行的。

9.如權利要求8所述的銀白色膜結構的鍍膜方法，其特征在于，在該基材的表面沉積形成氮化鉻膜前，先將基材放置在反應式磁控濺鍍裝置的真空鍍膜腔體內并對真空鍍膜腔體進行抽真空處理，并使真空鍍膜腔體內維持3.95mtorr至4.1mtorr范圍內的工作壓強。

10.如權利要求9所述的銀白色膜結構的鍍膜方法，其特征在于，在對真空鍍膜腔體進行抽真空處理過程中，開啟冷凝機對真空鍍膜腔體進行冷卻，該冷凝機的冷卻溫度為-135℃。

11.如權利要求9所述的銀白色膜結構的鍍膜方法，其特征在于，在對該真空鍍膜腔體進行抽真空處理后，對該真空鍍膜腔體進行加熱至200℃。

12.如權利要求8所述的銀白色膜結構的鍍膜方法，其特征在于，在該基材的表面沉積形成氮化鉻膜前，在反應式磁控濺鍍裝置中放置鉻靶材并在鉻靶材與待鍍基材之間加一個正交磁場和電場，在該真空鍍膜腔體內通入氮氣與氬氣的混合氣體。

13.如權利要求8所述的銀白色膜結構的鍍膜方法，其特征在于，在該結合層表面沉積形成摻雜有鉻原子的氧化鋁膜前，對反應式磁控濺鍍裝置的真空鍍膜腔體進行抽真空處理，并使真空鍍膜腔體在鍍制顏色層過程中維持3.95mtorr至4.1mtorr范圍內的工作壓強。

14.如權利要求13所述的銀白色膜結構的鍍膜方法，其特征在于，在對真空鍍膜腔體進行抽真空處理過程中，開啟冷凝機對真空鍍膜腔體進行冷卻，該冷凝機的冷卻溫度為-135℃。

15.如權利要求13所述的銀白色膜結構的鍍膜方法，其特征在于，在對該真空鍍膜腔體進行抽真空處理后，對該真空鍍膜腔體進行加熱至200℃。

16.如權利要求8所述的銀白色膜結構的鍍膜方法，其特征在于，在該結合層表面沉積形成由氧化鋁與氧化鈦混合而成的顏色層之前，在反應式磁控濺鍍裝置中放置鈦靶材和鋁靶材，并在鈦靶材、鋁靶材與待鍍基材之間加一個正交磁場和電場，在該真空鍍膜腔體內通入氧氣與氬氣的混合氣體。

17.如權利要求16所述的銀白色膜結構的鍍膜方法，其特征在于，在該結合層表面沉積形成由氧化鋁與氧化鈦混合而成的顏色層時，控制加在鋁靶材和鈦靶材的功率使得加在鋁靶材的功率大于加在鉻靶材的功率。

18.如權利要求7-15任意一項所述的銀白色膜結構的鍍膜方法，其特征在于，在沉積形成結合層和顏色層的過程中，采用旋轉式鍍膜法進行薄膜沉積，使基材在圍繞真空鍍膜腔體的中心軸線公轉的同時繞自身中心軸線自轉進行鍍膜，該基材的公轉速度為2rpm，自轉速度為8rpm。。

19.如權利要求8所述的銀白色膜結構的鍍膜方法，其特征在于，加在鋁靶材的功率為30KW，加在鈦靶材的功率為9KW。