[發明專利]非晶硅太陽電池組件及其制造方法有效
| 申請號: | 201010257136.2 | 申請日: | 2010-08-13 |
| 公開(公告)號: | CN102376807A | 公開(公告)日: | 2012-03-14 |
| 發明(設計)人: | 馬曉光;何悅;王奇;葉松 | 申請(專利權)人: | 無錫尚德太陽能電力有限公司;尚德太陽能電力有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/05 | 分類號: | H01L31/05;H01L31/20 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 李湘;李家麟 |
| 地址: | 214028 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 非晶硅 太陽電池 組件 及其 制造 方法 | ||
1.一種非晶硅太陽電池組件,包括依次層疊的玻璃基板、TCO膜、非晶硅層和BCD層,其特征在于還包括:
貫穿TCO膜、非晶硅層和BCD層且連通的第一溝槽、第二溝槽和第三溝槽,其中第一溝槽橫向排布在組件中部且沿組件中心點中心對稱,第一溝槽兩端均位于組件內,第二和第三溝槽分別縱向連接在第一溝槽的兩端且沿組件中心點中心對稱,第二和第三溝槽的末端均貫通至組件邊緣;
第一模塊和第二模塊,通過第一溝槽隔離且沿組件中心點中心對稱,包含相同數量且串聯連接的單體電池單元;以及
第三模塊和第四模塊,分別電性連接在第一模塊和第二模塊上且沿組件中心點中心對稱,并分別通過第二溝槽和第三溝槽與第二模塊和第一模塊隔離,該第三模塊和第四模塊的BCD層均為一體的。
2.如權利要求1所述的非晶硅太陽電池組件,其特征在于,該第一模塊和第二模塊的單體電池單元間均通過貫穿非晶硅層和BCD層的激光刻線隔離,其中該第一溝槽與激光刻線平行。
3.如權利要求1所述的非晶硅太陽電池組件,其特征在于,該第一溝槽橫向水平排布在組件中部,該第二溝槽和第三溝槽均與第一溝槽垂直連接。
4.如權利要求1所述的非晶硅太陽電池組件,其特征在于,該第二溝槽和第三溝槽分別位于第一溝槽的左上側和右下側,該第一模塊和第二模塊分別位于組件的左下側和右上側,該第三模塊和第四模塊分別位于組件的左上側和右下側。
5.如權利要求1所述的非晶硅太陽電池組件,其特征在于,該第二溝槽和第三溝槽分別位于第一溝槽的左下側和右上側,該第一模塊和第二模塊分別位于組件的左上側和右下側,該第三模塊和第四模塊分別位于組件的左下側和右上側。
6.如權利要求1所述的非晶硅太陽電池組件,其特征在于,所述第一模塊的面積大于第四模塊的面積。
7.一種如權利要求1-6中任一項所述的非晶硅太陽電池組件的制造方法,其特征在于,包括步驟:
提供玻璃基板;
在玻璃基板上形成TCO膜;
對TCO膜進行第一道激光刻劃;
沉積非晶硅層;
對非晶硅層進行第二道激光刻劃;
沉積BCD層;
對第一模塊和第二模塊對應的非晶硅層和BCD層進行第三道激光刻劃;
對BCD層、非晶硅層、TCO膜進行第四道激光刻劃形成連通的第一、第二和第三溝槽。
8.如權利要求7所述的非晶硅太陽電池組件的制造方法,其特征在于,第一溝槽平行于第三道激光刻劃所形成的激光刻線。
9.如權利要求7所述的非晶硅太陽電池組件的制造方法,其特征在于,該第一溝槽橫向水平形成在組件中部,該第二溝槽和第三溝槽均與第一溝槽垂直連接。
10.如權利要求7所述的非晶硅太陽電池組件的制造方法,其特征在于,該第二溝槽和第三溝槽分別形成在第一溝槽的左上側和右下側。
11.如權利要求7所述的非晶硅太陽電池組件的制造方法,其特征在于,該第二溝槽和第三溝槽分別形成在第一溝槽的左下側和右上側。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





