[發(fā)明專利]半導體裝置及半導體裝置的生產方法

無效

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• 申請日: 2010-08-17
• 公開（公告）號: CN101996956A
• 公開（公告）日: 2011-03-30
• 發(fā)明（設計）人: 奧山敦
• 申請（專利權）人: 索尼公司
• 主分類號: H01L23/00
• 分類號: H01L23/00;H01L21/60
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 彭久云

1.一種半導體裝置，包括：

基板；

介電層，在所述基板的一側；

焊盤，在所述介電層的凹槽內；以及

配線，連接到所述焊盤，

其中，所述焊盤的至少露出的頂表面的區(qū)域由在絕緣層中的擴散性低于所述配線在絕緣層中的擴散性的金屬材料制造，并且

所述絕緣層形成在另一個基板上，所述絕緣層與其中包含有所述焊盤的所述介電層相鄰。

2.如權利要求1所述的半導體裝置，其中所述金屬材料為Au、Ag、Al、Ta、Ti、W、Sn、Mo、Ni、In、Co中的一種或它們中的任何種的合金。

3.如權利要求1所述的半導體裝置，其中所述金屬材料是鋁或包含Al的合金。

4.如權利要求1所述的半導體裝置，其中所述配線包含銅。

5.如權利要求1所述的半導體裝置，其中所述焊盤的所述露出表面與所述介電層齊平。

6.如權利要求1所述的半導體裝置，其中整個所述焊盤由所述金屬制造。

7.一種半導體裝置，包括：

第一半導體基板；

第一介電膜，形成在所述第一半導體基板的表面上；

第一焊盤，形成所述第一半導體基板上；

第二半導體基板；

第二介電膜，形成在所述第二半導體基板的表面上；

第二焊盤，形成在所述第二半導體基板上，以及

電連接到所述第二焊盤的配線，

其中，

所述第一焊盤和第二焊盤具有露出的接觸區(qū)域，

所述第一半導體基板和所述第二半導體基板結合在一起，使所述第一焊盤的所述接觸區(qū)域電連接到所述第二焊盤的所述接觸區(qū)域，并且

所述第二焊盤的至少所述接觸區(qū)域由在所述第一介電膜中的擴散性低于所述配線在所述第一介電膜中的擴散性的金屬材料形成。

8.如權利要求7所述的半導體裝置，其中所述金屬材料延伸跨越所述第二焊盤的整個所述露出表面。

9.如權利要求7所述的半導體裝置，其中所述金屬材料是Au、Ag、Al、Ta、Ti、W、Sn、Mo、Ni、In、Co中的一種或它們中的任何種的合金。

10.如權利要求7所述的半導體裝置，其中所述配線包含銅。

11.如權利要求7所述的半導體裝置，其中整個所述第二焊盤由所述金屬材料形成。

12.如權利要求7所述的半導體裝置，其中所述第二焊盤還包括在所述接觸區(qū)域下的基底區(qū)域，所述基底區(qū)域和所述配線由相同的材料形成。

13.如權利要求7所述的半導體裝置，還包括：

形成在所述第一半導體基板上并且電連接到所述第一焊盤的配線，

其中，所述第一焊盤的至少所述接觸區(qū)域包含在所述第二介電膜中的擴散性低于所述第一半導體基板的所述配線在所述第二介電膜中的擴散性的金屬材料。

14.如權利要求7所述的半導體裝置，其中整個所述第一焊盤由所述金屬材料制造。

15.如權利要求7所述的半導體裝置，其中所述第二焊盤的所述接觸區(qū)域大于所述第一焊盤的所述接觸區(qū)域。

16.如權利要求7所述的半導體裝置，其中所述第二焊盤的所述接觸區(qū)域的尺寸和所述第一焊盤的所述接觸區(qū)域的尺寸大致相同。

17.如權利要求7所述的半導體裝置，還包括：

第一金屬阻擋層，形成在所述第一焊盤和所述第一介電膜之間，所述第一金屬阻擋層有效地防止所述第一焊盤的金屬擴散進入所述第一介電膜。

18.如權利要求7所述的半導體裝置，還包括：

第二金屬阻擋層，形成在所述第二焊盤和所述第二介電膜之間，所述第二金屬阻擋層有效地防止所述第二焊盤的金屬擴散進入所述第二介電膜。

19.如權利要求7所述的半導體裝置，其中所述第一焊盤的形狀與所述第二焊盤的形狀不同。

20.如權利要求7所述的半導體裝置，還包括：

防擴散層，形成在所述第二介電膜上，所述防擴散層有效地防止所述第一焊盤的金屬材料擴散進入所述第二介電膜，

其中，所述第二焊盤經由所述防擴散層露出。