[發明專利]基于跨接器多冗余觸發控制可控硅的大電流滅磁回路無效
| 申請號： | 201010256486.7 | 申請日： | 2010-08-18 |
| 公開（公告）號： | CN101977004A | 公開（公告）日： | 2011-02-16 |
| 發明（設計）人： | 許其質;許其品;陳遺志;郝勇 | 申請（專利權）人： | 國電南瑞科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H02P9/12 | 分類號： | H02P9/12;H02H7/06 |
| 代理公司： | 南京縱橫知識產權代理有限公司 32224 | 代理人： | 董建林;許婉靜 |
| 地址： | 210061 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 基于 跨接器多 冗余 觸發 控制 可控硅 電流 回路 | ||
【權利要求書】：
1.一種基于跨接器多冗余觸發控制可控硅的大電流滅磁回路，由發電機端引出勵磁三相交流電源，經勵磁變壓器與三相全控可控硅整流橋、發電機轉子繞組構成主回路，在可控硅整流橋的輸出端串聯直流滅磁開關，在發電機轉子繞組兩端并聯電子跨接器進行滅磁，其特征在于：所述電子跨接器包括滅磁電阻和與滅磁電阻串聯的正反向可控硅，所述正反向可控硅包括相互并聯的一個正向可控硅和n個反向可控硅，其中n≥2，每個可控硅分別由各自的脈沖回路觸發。
2.根據權利要求1所述的基于跨接器多冗余觸發控制可控硅的大電流滅磁回路，其特征在于：所述滅磁電阻為線性電阻或非線性電阻。
3.根據權利要求1或2所述的基于跨接器多冗余觸發控制可控硅的大電流滅磁回路，其特征在于：各脈沖回路觸發時間相同。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于國電南瑞科技股份有限公司，未經國電南瑞科技股份有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201010256486.7/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
