[發明專利]納米光刻掩模硅片間隙測量及調平裝置

無效

• 申請號: 201010256375.6
• 申請日: 2010-08-17
• 公開（公告）號: CN101950132A
• 公開（公告）日: 2011-01-19
• 發明（設計）人: 周紹林;胡松;唐小萍;趙立新;楊勇;陳旺富;徐峰;陳明勇
• 申請（專利權）人: 中國科學院光電技術研究所
• 主分類號: G03F9/00
• 分類號: G03F9/00;G03F7/20
• 代理公司: 北京科迪生專利代理有限責任公司 11251
• 代理人: 盧紀

1.納米光刻掩模硅片間隙測量及調平裝置，其特征在于包括：激光管(1)、第一反射鏡(2)、掩模(3)、硅片(4)、第一標記光柵(5)、第二標記光柵(6)、第二反射鏡(7)、物鏡(8)和CCD探測器(9)；所述第一標記光柵(5)和第二標記光柵(6)相鄰地同時位于掩模(3)上，且第一標記光柵(5)和第二標記光柵(6)周期接近；在納米光刻工作間隙范圍內，由激光管(1)發出單色平面波經第一反射鏡(2)偏轉后，垂直入射位于掩模(3)上的第一標記光柵(5)和第二標記光柵(6)時發生衍射；一束來自于第一標記光柵(5)的透射衍射光B₁在掩模和硅片間隙內傳播并經硅片(4)表面反射返回，在掩模(3)上與第二標記光柵(6)的反射衍射光束B₂相遇，發生雙光束干涉；經過第二反射鏡(7)偏轉后，所述兩束光B₁、B₂被物鏡(8)接收，并利用位于物鏡(8)像面上的CCD探測器(9)記錄雙光束干涉強度條紋；最后，利用干涉條紋的移動或相位變化探測間隙變化量，通過在三個位置處的間隙控制實現掩模和硅片調平。

2.根據權利要求1中所述的納米光刻掩模硅片間隙測量及調平裝置，其特征在于：所述第一個反射鏡(2)安裝在與水平方向成45度夾角方向，第二個反射鏡(7)的安裝方向與水平方向的夾角為

其中，θ₁、θ₂分別代表兩束光B₁、B₂的衍射角。

3.根據權利要求1或2中所述的納米光刻掩模硅片間隙測量及調平裝置，其特征在于：所述兩束光B₁、B₂的衍射角θ₁、θ₂分別由下式計算得到：

P₁sinθ₁＝λ????(2)

P₂sinθ₂＝λ????(3)

其中，P₁、P₂分別為第一標記光柵(5)和第二標記光柵(6)的周期，λ為入射光波長。

4.根據權利要求1中所述的納米光刻掩模硅片間隙測量及調平裝置，其特征在于：所述第一標記光柵(5)和第二標記光柵(6)分別由兩組排列順序相反的光柵組合而成。