[發明專利]用于邊緣場開關模式液晶顯示器件的陣列基板及其制造方法

有效

• 申請號: 201010256082.8
• 申請日: 2010-08-16
• 公開（公告）號: CN102033376A
• 公開（公告）日: 2011-04-27
• 發明（設計）人: 鄭普泳;宋寅德;樸星一;樸大林
• 申請（專利權）人: 樂金顯示有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1343;G02F1/1333;H01L27/02;H01L21/77
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國;趙靜

本申請要求2009年10月6日提交的韓國專利申請No.2009-0094694的優先權，通過援引將該專利申請結合在此。

技術領域

本發明涉及一種用于邊緣場開關(FFS)模式液晶顯示(LCD)器件的陣列基板，尤其涉及一種能將像素電極與數據線之間的寄生電容最小化的用于FFS模式LCD器件的陣列基板以及能降低生產成本的制造該陣列基板的方法。

背景技術

現有技術的液晶顯示(LCD)器件使用液晶分子的光學各向異性和偏振特性。液晶分子由于其細而長的形狀而具有明確的定向(alignment)方向。可通過對這些液晶分子施加一電場來控制液晶分子的定向方向。換句話說，隨著電場的強度或方向變化，液晶分子的定向也變化。由于液晶分子的光學各向異性，入射光根據液晶分子的取向而被折射，因此可通過控制光透過率(transmissivity)來顯示圖像。

由于被稱作有源矩陣LCD(AM-LCD)器件的、包括作為開關元件的薄膜晶體管(TFT)的LCD器件具有高分辨率和顯示運動圖像的出色特性，AM-LCD器件已被廣泛使用。

AM-LCD器件包括陣列基板、濾色器(color?filter)基板和夾在它們之間的液晶層。陣列基板可包括像素電極和TFT，濾色器基板可包括濾色器層和公共電極。AM-LCD器件由像素電極與公共電極之間的電場驅動，從而具有出色的透過率和孔徑比(aperture?ratio)特性。然而，由于AM-LCD器件使用垂直電場，所以AM-LCD器件具有不好的視角。

可使用共平面開關(IPS)模式LCD器件來克服上述局限性。圖1是根據現有技術的IPS模式LCD器件的剖面圖。如圖1中所示，陣列基板和濾色器基板彼此分開且相互面對。陣列基板包括第一基板10、公共電極17和像素電極30。盡管沒有示出，但陣列基板可包括TFT、柵線、和數據線等等。濾色器基板包括第二基板9、和濾色器層(沒有示出)等等。液晶層11置于第一基板10與第二基板9之間。由于公共電極17和像素電極30形成在第一基板10上并形成在同一平面(level)，因此在公共電極17與像素電極30之間產生水平電場“L”。

圖2A和2B是顯示根據現有技術的IPS模式LCD器件的開/關情形的剖面圖。如圖2A中所示，當電壓施加給IPS模式LCD器件時，公共電極17和像素電極30上方的液晶分子11a不變。但公共電極17與像素電極30之間的液晶分子11b由于水平電場“L”的緣故而水平排列。由于液晶分子由該水平電場排列，所以IPS模式LCD器件具有寬視角的特性。圖2B顯示了電壓未施加給IPS模式LCD器件時的情形。因為在公共電極與像素電極17和30之間未產生電場，所以液晶分子11的排列不變。

已經提出了具有額外優點的邊緣場開關(FFS)模式LCD器件。圖3是顯示根據現有技術的用于FFS模式LCD器件的陣列基板的一個像素區域的平面圖，圖4是沿圖3的線IV-IV截取的剖面圖。

參照圖3和4，在陣列基板50的基板51上沿第一方向形成有柵線60、和沿第二方向形成有與柵線60交叉以限定像素區域P的數據線70。在柵線60和數據線70的交叉部分處形成有包括柵極62、柵絕緣層64、半導體層66、源極72和漏極74的薄膜晶體管(TFT)Tr。TFT?Tr設置在像素區域P中限定的開關區域TrA中。TFT?Tr與柵線60和數據線70連接。就是說，柵極62與柵線60連接，而源極72與數據線70連接。半導體層66包括本征非晶硅的有源層66a和摻雜(impurity-doped)非晶硅的歐姆接觸層66b。

此外，在像素區域P中形成有與TFT?Tr的漏極74連接的像素電極76。在像素電極76和TFT?Tr上設置有作為絕緣層的鈍化層80。在鈍化層80上設置有具有板形的公共電極90。公共電極90包括多個狹縫形的孔92?？?2與像素電極76交疊。像素電極76覆蓋像素區域P，而公共電極90覆蓋基板51的整個表面。

通過施加給像素電極76和公共電極90的電壓，在像素電極76與公共電極90之間產生邊緣場，從而由邊緣場驅動液晶分子。

如圖4中所示，在現有技術的FFS模式LCD器件中，像素電極76更靠近數據線70設置，從而在像素電極76與數據線70之間產生寄生電容。由該寄生電容產生了一些問題，即，閃爍現象(flicker?phenomenon)。尤其是，當增加像素電極76的尺寸以提高孔徑比時，因為像素電極76與數據線70之間的距離進一步減小，所以問題更加嚴重。

發明內容