[發明專利]磁共振冷卻系統及成像裝置

有效

• 申請號: 201010255574.5
• 申請日: 2010-08-16
• 公開（公告）號: CN101950007A
• 公開（公告）日: 2011-01-19
• 發明（設計）人: 謝國喜;翁卓;周輝;鄒超;劉新;邱本勝;吳垠;鄭海榮
• 申請（專利權）人: 中國科學院深圳先進技術研究院
• 主分類號: G01R33/38
• 分類號: G01R33/38;G01R33/20
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 吳平

1.一種磁共振冷卻系統，其特征在于，至少包括：

制冷裝置，用于通過半導體制冷器導出熱量；

水冷裝置，用于冷卻所述制冷裝置。

2.根據權利要求1所述的磁共振冷卻系統，其特征在于，所述制冷裝置包括第一真空保溫腔、套于所述第一真空保溫腔外側并與第一真空保溫腔兩端密封形成收容空間的第二真空保溫腔、填充于收容空間并與高溫超導磁體接觸的吸熱介質以及均布設置于所述第二真空保溫腔上的半導體制冷器。

3.根據權利要求2所述的磁共振冷卻系統，其特征在于，所述半導體制冷器包括N型半導體以及與所述N型半導體連接的P型半導體，所述N型半導體與所述P型半導體分別形成冷端和熱端。

4.根據權利要求3所述的磁共振冷卻系統，其特征在于，所述半導體制冷器中所述冷端置于所述吸熱介質中，所述熱端置于所述收容空間外。

5.根據權利要求3所述的磁共振冷卻系統，其特征在于，所述制冷裝置通過并聯多級半導體制冷器導出熱量。

6.根據權利要求5所述的磁共振冷卻系統，其特征在于，所述并聯半導體制冷器的級數為6～8級。

7.根據權利要求2所述的磁共振冷卻系統，其特征在于，所述制冷裝置還包括溫度計，所述溫度計與所述吸熱介質充分接觸，用于監測所述吸熱介質中的溫度。

8.根據權利要求4所述的磁共振冷卻系統，其特征在于，所述水冷裝置包括緊貼設置于所述制冷裝置外側的導熱隔層以及設置于所述導熱隔層外側并與所述導熱隔層形成空腔以流通冷卻水的水冷壁，所述第二真空保溫腔與導熱隔層之間形成容置空間，在該容置空間充滿散熱介質，所述半導體制冷器的熱端置于所述散熱介質中。。

9.一種磁共振成像裝置，包括筒體、貼設于所述筒體內壁的射頻線圈、設置于所述射頻線圈外側的梯度線圈，其特征在于，還包括設置于梯度線圈外側的高溫超導磁體、包裹所述高溫超導磁體的如權利要求1至8中任一項所述的磁共振冷卻系統以及控制所述射頻線圈、梯度線圈和磁共振冷卻系統的工作站。

10.根據權利要求9所述的磁共振成像裝置，其特征在于，所述高溫超導磁體由高溫超導材料繞制而成。

11.根據權利要求10所述的磁共振成像裝置，其特征在于，所述工作站至少包括：

輸入模塊，用于采集用戶的輸入信息；

時序控制模塊，用于根據所述輸入信息控制射頻線圈、梯度線圈以及高溫超導磁體執行掃描，得到原始數據；

處理模塊，用于根據所述原始數據重建圖像，并根據所述反饋溫度生成指令；

冷卻控制模塊，用于獲取所述磁共振冷卻系統中的反饋溫度，并通過根據所述反饋溫度生成的指令控制磁共振冷卻系統；

存儲模塊，用于存儲所述原始數據和根據所述原始數據重建的圖像。