[發明專利]一種結晶溫度可調的SiO2/Sb80Te20納米復合多層相變薄膜材料及其制備方法

無效

• 申請號: 201010255569.4
• 申請日: 2010-08-17
• 公開（公告）號: CN101976725A
• 公開（公告）日: 2011-02-16
• 發明（設計）人: 翟繼衛;汪昌州;沈波
• 申請（專利權）人: 同濟大學
• 主分類號: H01L45/00
• 分類號: H01L45/00;B32B9/04;C23C14/35;C23C14/16;C23C14/10
• 代理公司: 上海光華專利事務所 31219
• 代理人: 許亦琳;余明偉

1.一種結晶溫度可調的SiO₂/Sb₈₀Te₂₀納米復合多層相變薄膜材料，其特征在于，所述SiO₂/Sb₈₀Te₂₀納米復合多層相變薄膜材料中單層SiO₂薄膜和單層Sb₈₀Te₂₀薄膜交替排列成多層薄膜結構，所述單層SiO₂薄膜的厚度為5～15nm，所述單層Sb₈₀Te₂₀薄膜的厚度為2～5nm。

2.如權利要求1所述的結晶溫度可調的SiO₂/Sb₈₀Te₂₀納米復合多層相變薄膜材料，其特征在于，所述SiO₂/Sb₈₀Te₂₀納米復合多層相變薄膜材料的結構符合下式：[SiO₂(a)/Sb₈₀Te₂₀(b)]_x，

式中a、b分別表示所述單層SiO₂薄膜和單層Sb₈₀Te₂₀薄膜的厚度，5nm≤a≤15nm，2nm≤b≤5nm；x表示所述SiO₂/Sb₈₀Te₂₀納米復合多層相變薄膜材料中所述單層SiO₂薄膜和所述單層Sb₈₀Te₂₀薄膜的交替周期數，x為正整數，且5≤x≤14。

3.如權利要求2所述的結晶溫度可調的SiO₂/Sb₈₀Te₂₀納米復合多層相變薄膜材料，其特征在于，

所述SiO₂/Sb₈₀Te₂₀納米復合多層相變薄膜材料的結構符合下式：

[SiO₂(a)/Sb₈₀Te₂₀(b)]_x，其中，a＝5nm，2nm≤b≤5nm。

或者，所述SiO₂/Sb₈₀Te₂₀納米復合多層相變薄膜材料的結構符合下式：

[SiO₂(a)/Sb₈₀Te₂₀(b)]_x；其中，5nm≤a≤15nm，b＝5nm。

4.如權利要求1所述的結晶溫度可調的SiO₂/Sb₈₀Te₂₀納米復合多層相變薄膜材料，其特征在于，所述SiO₂/Sb₈₀Te₂₀納米復合多層相變薄膜的蓋帽層為SiO₂薄膜。

5.如權利要求1所述的結晶溫度可調的SiO₂/Sb₈₀Te₂₀納米復合多層相變薄膜材料，其特征在于，所述SiO₂/Sb₈₀Te₂₀納米復合多層相變薄膜材料的總厚度為100nm。

6.如權利要求1-5任一所述的結晶溫度可調的SiO₂/Sb₈₀Te₂₀納米復合多層相變薄膜材料，其特征在于，所述SiO₂/Sb₈₀Te₂₀納米復合多層相變薄膜材料的結晶溫度隨著周期中單層Sb₈₀Te₂₀薄膜厚度的減小而升高，隨周期中單層SiO₂薄膜厚度的增加而升高；晶態電阻隨著周期中單層Sb₈₀Te₂₀薄膜厚度的減小而增大，隨著周期中單層SiO₂薄膜厚度的增加而增大。