[發明專利]一種離子注入劑量檢測控制方法

有效

• 申請號: 201010255031.3
• 申請日: 2010-08-17
• 公開（公告）號: CN102376519A
• 公開（公告）日: 2012-03-14
• 發明（設計）人: 汪明剛;劉杰;夏洋;李超波;陳瑤;趙麗莉;李勇滔
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 北京市德權律師事務所 11302
• 代理人: 王建國

1.一種離子注入劑量檢測控制方法，其特征在于，包括：

測量等離子體中的離子密度、電子溫度以及等離子體中的粒子組分和各組分的粒子含量；

將等離子體中的所有離子和基團的質量等效為相同質量；將等離子體中的所有離子和基團的帶電荷量等效為相同帶電荷量；

當等離子體目標注入劑量確定時，利用準靜態蔡爾德-朗繆爾鞘層注入模型理論，計算得到該目標注入劑量的注入工藝時間；及

當等離子體注入工藝時間確定時，利用準靜態蔡爾德-朗繆爾鞘層注入模型理論，計算得到該注入工藝時間內的注入離子劑量。

2.根據權利要求1所述的離子注入劑量檢測控制方法，其特征在于，根據所述離子密度、電子溫度以及等離子體中的粒子組分和各組分的粒子含量，利用所述準靜態蔡爾德-朗繆爾鞘層注入模型理論，通過公式T_im＝N/(f×dose_pulse)，計算得到該目標注入劑量的注入工藝時間；其中T_im為注入時間，N為基片達到的摻雜濃度，f為脈沖偏壓頻率，dose_pulse為單一脈沖注入基片的離子劑量。

3.根據權利要求1所述的離子注入劑量檢測控制方法，其特征在于，根據所述離子密度、電子溫度以及等離子體中的粒子組分和各組分的粒子含量，利用所述準靜態蔡爾德-朗繆爾鞘層注入模型理論，通過公式N＝T_im×f×dose_pulse，計算得到該注入工藝時間內的注入離子劑量；

其中T_im為注入時間，N為基片達到的摻雜濃度，f為脈沖偏壓頻率，dose_pulse為單一脈沖注入基片的離子劑量。

4.根據權利要求1所述的離子注入劑量檢測控制方法，其特征在于，利用質譜儀測量等離子體中的粒子組分和各組分的粒子含量。