[發(fā)明專利]一種離子注入劑量檢測(cè)控制方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010255031.3
• 申請(qǐng)日: 2010-08-17
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102376519A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-03-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 汪明剛;劉杰;夏洋;李超波;陳瑤;趙麗莉;李勇滔
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)院微電子研究所
• 主分類(lèi)號(hào): H01J37/32
• 分類(lèi)號(hào): H01J37/32
• 代理公司: 北京市德權(quán)律師事務(wù)所 11302
• 代理人: 王建國(guó)

1.一種離子注入劑量檢測(cè)控制方法，其特征在于，包括：

測(cè)量等離子體中的離子密度、電子溫度以及等離子體中的粒子組分和各組分的粒子含量；

將等離子體中的所有離子和基團(tuán)的質(zhì)量等效為相同質(zhì)量；將等離子體中的所有離子和基團(tuán)的帶電荷量等效為相同帶電荷量；

當(dāng)?shù)入x子體目標(biāo)注入劑量確定時(shí)，利用準(zhǔn)靜態(tài)蔡爾德-朗繆爾鞘層注入模型理論，計(jì)算得到該目標(biāo)注入劑量的注入工藝時(shí)間；及

當(dāng)?shù)入x子體注入工藝時(shí)間確定時(shí)，利用準(zhǔn)靜態(tài)蔡爾德-朗繆爾鞘層注入模型理論，計(jì)算得到該注入工藝時(shí)間內(nèi)的注入離子劑量。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離子注入劑量檢測(cè)控制方法，其特征在于，根據(jù)所述離子密度、電子溫度以及等離子體中的粒子組分和各組分的粒子含量，利用所述準(zhǔn)靜態(tài)蔡爾德-朗繆爾鞘層注入模型理論，通過(guò)公式T_im＝N/(f×dose_pulse)，計(jì)算得到該目標(biāo)注入劑量的注入工藝時(shí)間；其中T_im為注入時(shí)間，N為基片達(dá)到的摻雜濃度，f為脈沖偏壓頻率，dose_pulse為單一脈沖注入基片的離子劑量。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離子注入劑量檢測(cè)控制方法，其特征在于，根據(jù)所述離子密度、電子溫度以及等離子體中的粒子組分和各組分的粒子含量，利用所述準(zhǔn)靜態(tài)蔡爾德-朗繆爾鞘層注入模型理論，通過(guò)公式N＝T_im×f×dose_pulse，計(jì)算得到該注入工藝時(shí)間內(nèi)的注入離子劑量；

其中T_im為注入時(shí)間，N為基片達(dá)到的摻雜濃度，f為脈沖偏壓頻率，dose_pulse為單一脈沖注入基片的離子劑量。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的離子注入劑量檢測(cè)控制方法，其特征在于，利用質(zhì)譜儀測(cè)量等離子體中的粒子組分和各組分的粒子含量。