[發明專利]制造半導體組件和結構的方法

有效

• 申請號: 201010254550.8
• 申請日: 2010-08-11
• 公開（公告）號: CN102034741A
• 公開（公告）日: 2011-04-27
• 發明（設計）人: M·J.·塞登;F·J.·卡尼
• 申請（專利權）人: 半導體元件工業有限責任公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L23/52
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 申發振

1.一種用于制造半導體組件的方法，包括以下步驟：

提供具有主表面的材料；

在所述主表面之上形成第一導電結構；

在所述第一導電結構之上形成光致抗蝕劑層；

使所述光致抗蝕劑層的第一部分暴露給輻射，所述第一部分具有第一尺寸；以及

使所述光致抗蝕劑層的第二部分暴露給輻射，所述第二部分具有大于所述第一尺寸的第二尺寸。

2.如權利要求1所述的方法，其中所述光致抗蝕劑是正光致抗蝕劑。

3.如權利要求1所述的方法，其中使所述光致抗蝕劑層的所述第二部分暴露的步驟包括：在硬烘烤所述光致抗蝕劑層之前使所述第二部分暴露給輻射。

4.如權利要求1所述的方法，還包括在使所述光致抗蝕劑層的第二部分暴露給輻射之前，移除所述光致抗蝕劑層的所述第一部分以顯露所述第一導電結構的第一部分。

5.如權利要求4所述的方法，還包括：

在所述第一導電的所述第一部分之上形成第二導電結構，所述第二導電結構具有第一邊緣和第二邊緣；

在使所述光致抗蝕劑層的所述第二部分暴露給輻射之后，至少顯露所述第二導電結構的所述第一邊緣和所述第二邊緣；以及

在所述第二導電結構的所述第一邊緣和第二邊緣上形成保護結構，其中所述保護結構是導電材料或非導電材料中的一個。

6.一種用于制造半導體組件的方法，包括以下步驟：

提供具有主表面的基底；

在所述主表面上形成第一導電材料，所述第一導電材料具有第一邊緣和第二邊緣；

在第一導電材料層之上形成第一光致抗蝕劑層；

移除所述第一光致抗蝕劑層的第一部分，留下來自所述第一光致抗蝕劑層的剩余部分的第一側壁和第二側壁以及所述第一側壁和第二側壁之間的間隙；

在所述第一光致抗蝕劑層的所述第一側壁和第二側壁之間的所述間隙中形成第二導電材料，所述第二導電材料具有第一邊緣和第二邊緣；

在所述第一光致抗蝕劑層之上和在所述第二導電材料之上形成第二光致抗蝕劑層；

移除所述第二光致抗蝕劑層的一部分和所述第一光致抗蝕劑層的第二部分，以顯露所述第二導電材料的所述第一邊緣和第二邊緣；以及

在所述第二導電材料的所述第一邊緣和第二邊緣之上形成保護結構。

7.如權利要求6所述的方法，其中所述保護結構是導電材料。

8.如權利要求6所述的方法，其中移除所述第一光致抗蝕劑層的所述第一部分和第二部分以及所述第二光致抗蝕劑層的所述一部分的步驟包括：使所述第一光致抗蝕劑層的所述第一部分和第二部分以及所述第二光致抗蝕劑層的所述一部分暴露給紫外輻射，以及使所述第一光致抗蝕劑層和第二光致抗蝕劑層的被暴露部分顯影。

9.如權利要求8所述的方法，還包括在基底和第一層導電材料之間形成第三導電材料層，其中所述保護結構包括非導電材料。

10.一種半導體組件，包括：

具有主表面的半導體材料；

在所述主表面的一部分之上的導電結構；

具有與所述導電結構接觸的相對的邊緣和頂表面的電互連物；以及

在所述電互連物的所述頂表面和所述相對的邊緣上并在所述導電結構的一部分之上的保護結構，其中所述保護結構形成保護所述電互連物的密封。